15年MOS管制造专家，广州飞虹详解MOS管中的米勒电容效应

随着电子科技技术的发展，MOS管被广泛应用于各个领域。对于行业人士来说，只要接触电子电路设计，就必然需要接触MOS管。而在MOS管的使用过程中，会出现一种常见的作用现象——米勒效应，它一般会出现在MOS管的开通器件之中。而且，在MOS管中，门极和漏极间还会存在米勒电容。

那么，什么是米勒电容呢？米勒电容并非指存在MOS管中的电容，它是由MOSFET棚漏极间的电容反映到输入的等效电容。根据米勒定理可以得知，这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多，随增益变化，而由该效应所形成的等效电容称为米勒电容。

当遇到MOS管出现米勒电容，低压MOS管从而影响整体的开启时间时，有相关人士会考虑在栅极和源极间并联一个小电容。但根据米勒定力，在棚源极间并联一个电容对减小米勒电容于事无补，反之更会降低MOSFET的开启速度，增加开通关断时间。

因此，针对这一现象，我们应如何正确地处理呢？根据工程师的经验之谈，低压MOS管正确的处理方式是在关断感性负载时，如果驱动电路内阻不够小，可以在MOS的GS间并联一个适当的电容，而不是并联一个越小越好的电容。这样做可以防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。

而在测试的过程中，一旦遇到米勒效应电容问题，首先要依据查询数据手册进行计算，在估算出电容数值后选取适当电容进行电路系统修改调整。

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