不容错过的代换选取：FHS110N8F5B低内阻MOSFET挑战SVG095R0NT

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-05-10 浏览量：860 分享至：

低内阻MOSFET是锂铁磷酸电池的核心能力，是能直接影响其工作能力。该通过怎么样的方式选择低内阻MOSFET才能完全拥有适合锂铁磷酸电池电路图的产品呢？

现行低内阻MOSFET产品面临安全效益差、可靠性低、散热效果不佳等未知问题，这些都直接关系锂铁磷酸电池设备的可靠运转，选取高品质能代换低内阻MOSFET极重要。

锂铁磷酸电池电子工程师在选取SVG095R0NT型号低内阻MOSFET进行代换时，需求特别注重其性能指标，譬如电流会不会满足147a、电压会不会达到85v等，前述指标直接关系了器件的工作效率。需要进一步关注的是，器件的门极阈值电压(VGE(th))和高可靠性也首要关注因素。

FHS110N8F5B在丰富国外锂铁磷酸电池生产工厂的选择中，之前就已经代替了SVG095R0NT，还能够收获大面积应用。每位建议您仔细查注重其详细的产品规格：

1、N沟道增强型场效应晶体管
2、100%经过热阻测试
3、最高栅源电压：±20V
4、阈值电压VGS（th）：2.0-4.0V
5、正向最大连续电流：120A
6、具有147a电流、85v电压
7、RDS(ON)：4.4mΩ（Typ）、5.5mΩ（Max）

低内阻MOSFET在锂铁磷酸电池中控制平稳，质量很好!

飞虹半导体乐意告诉使用FHS110N8F5B型号的低内阻MOSFET，以提升升高锂铁磷酸电池电路的控制能力。这种额定参数为147a、85v的低内阻MOSFET，能根本消解产品安全效益差、可靠性低、散热效果不佳等未知问题。

飞虹半导体的服务面貌做到心灵手巧，让锂铁磷酸电池生产工厂安心舒适的交给其定制FHS110N8F5B型号低内阻MOSFET。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线： 400-831-6077！