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FHN60N1F10LA

行业通用名：AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N等

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  • 飞虹60N1F10LA，SGT MOSFET DFN5×6-8L ，采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流，BLDC电机驱动。

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产品参数

Part Number Polarity Package Vgs（±V） VTH（V） ID(A) BVdss(V) Rdson[Ω]
(typ)		 Rdson[Ω]
(max)
型号 极性 封装形式 Vgs=10v
(typ)		 Vgs=10v
(max)		 Vgs=4.5v
(typ)		 Vgs=4.5v
(max)
FHN60N1F10LA
N
PDFN5×6
20
1.2~2.4
60
100
10
12
12.5
15.5

产品详情

【飞虹60N1F10LA产品描述】

飞虹60N1F10LA，SGT MOSFET  DFN5×6-8L，采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流，BLDC电机驱动。其它mos管品牌替代型号：AON6224、VSP014N10MS、ZMS100N10N。


【飞虹60N1F10LA产品特点】

飞虹60N1F10LA，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS热阻测试，一致性高，高可靠性，开关速度快，极低的导通内阻RDS(on)，优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg)，损耗低。


【飞虹60N1F10LA应用举例】


USB PD charger（以市场的主流QR电源结构举例）


FHN60N1F10LA应用举例


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