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     非隔离型直流变换器电子工程师在代替VSP014N10MS型号低压SGTMOSFET时,需要认真研究多个重点特性。首先是低压SGTMOSFET的性能参数,例如说电流会不会实现了60安、电压会不会实现了100V等,所述参数直接相关了器件的工作效率。
FHN60N1F10LA在很多国内非隔离型直流变换器生产厂家的选择中,先前早已接替了VSP014N10MS,又可以取得大面积采用。每一人建议您仔细查注意其详细的产品规格:
1、Vgs:±20V
2、场N沟道增强型
3、反向传输电容:23pF
4、静态导通电阻RDS(ON)(VGS=4.5V):12.5mΩ(Typ)、15.5mΩ(Max)
5、具有60安电流、100V电压
6、100%DVDS热阻测试
7、VGS(th):1.2-2.4V
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 根据上述分析打算升高非隔离型直流变换器电路的功率开关能力,飞虹半导体愿意推荐择选FHN60N1F10LA型号低压SGTMOSFET。60安、100V的低压SGTMOSFET,它真正化解产品电磁干扰、效率不高等存在麻烦。
非隔离型直流变换器生产厂家选择飞虹半导体低压SGTMOSFET厂家,死力为家电、升降压型DC/DC转换器等电子生产厂家提供可靠的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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