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快充头电子设计师在代换ZMS100N10N型号n沟道SGTMOSFET时,需要明确要求多个核心参数。首先是n沟道SGTMOSFET的性能参数,正如额定电流能不能做到了60安、电压能不能做到了100伏等,前述参数密切联系了器件的工作效率。
根据快充头领域的设计师来说,决定FHN60N1F10LA的n沟道SGTMOSFET产品就如同决定与ZMS100N10N技术参数契合的解决策略,让各位仔细注意详实参数:
1、正向最大脉冲电流:480A
2、极低的导通内阻RDS(on)
3、Vgs:±20V
4、场N沟道增强型
5、静态导通电阻(VGS=4.5V):12.5mΩ(Typ)、15.5mΩ(Max)
6、VGS(th):1.2-2.4V
7、具有60安电流、100伏电压
裴生结合分析决定飞虹半导体,是因FHN60N1F10LA型号用在快充头。
飞虹半导体乐意举荐决定FHN60N1F10LA型号的n沟道SGTMOSFET,以改善快充头电路的控制能力。这种60安、100伏的n沟道SGTMOSFET实现实际化解产品散热效率低、可靠性差、效率不高等存在麻烦。
飞虹半导体在定制n沟道SGTMOSFET的服务作风做到客户满意,供销质量贼好的FHN60N1F10LA型号参数。能为快充头、锂电池保护等领域提供最优的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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