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产品参数
Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(mΩ) | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | Vgs=4.5v(typ) | Vgs=4.5v(max) | ||||
FHP1906V | N | TO-220 | 30 | 3 | 120 | 60 | 5.0 | 6.0 |
产品详情
【FHP1906V产品类型】
Trench Power MOSFET
【FHP1906V产品描述】
FHP1906V采用先进的沟槽技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,实现系统小型化和高效率。产品外形是TO-220封装,符合JEDEC标准,在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
【FHP1906V可替代市场型号】
HY1906 FHP1906A IRFB7545PbF
(1)与HY1906相比拥有更低的导通内阻,和本公司上一代FHP1906A相比,进一步降低Qg,降低损耗,提高了品质因数FOM(RDSON*Qg),性能更优。
(2)与IRFB7545PbF相比,提供了更高性价比的国产化替代产品。
【FHP1906V产品特点】
(1)100% EAS测试。
(2)100% Rg测试。
(3)100% DVDS热阻测试。
(4)采用细化分档Vth,进一步提高了产品的一致性高。
(5)通过采用特色的trench工艺,结合优秀的封装BOM材料,使产品拥有高可靠性,开关速度快。
(6)拥有极低的导通内阻RDS(on),优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg)。
(7)雪崩耐量高,抗冲击性能强。
【FHP1906V产品应用】
(1)12V蓄电池输入的车载高频逆变器中的DC/DC推挽拓扑升压电路。
(2)5串磷酸铁锂电池组搭配的户外储能电源中逆变模块的DC-DC推挽拓扑升压电路。
(3)24-36V BLDC电机驱动控制器
(4)适合全桥拓扑应用,如12V/24蓄电池搭配的UPS,适合SOHO小型化办公室和家庭办公需求UPS电源的设备。
(5)同步整流。
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当车载逆变器频繁烧毁MOS管时,飞虹半导体FHP1906V凭借100%雪崩测试和5mΩ超低导通电阻,为12V蓄电池系统提供稳定可靠的代换方案。
本文深入分析飞虹半导体SGTMOSFET FHP1906V在车载高频逆变器中的应用优势,对比IRFB7545PbF,突出其国产替代的高性能与可靠性,为电子工程师提供精准选型参考。
本文通过访谈飞虹半导体技术总监,揭秘国产MOS管FHP1906V在车载高频逆变器DC/DC推挽拓扑中的关键技术突破,解析其如何通过100%雪崩测试等工艺实现进口替代。
资深工程师访谈揭示MOSFET选型关键:如何通过雪崩耐量和动态特性参数避免车载逆变器炸管风险,国产FHP1906V在DC/DC推挽拓扑中的实测表现。
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