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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
IPP04N06N3型号n沟道增强型MOS管在8串锂电池保护板电子工程中的运行,需要设计师着重看其性能参数,正如说,额定电流可不可以得到了200a、电压可不可以得到了60v等,描述参数直接关联着8串锂电池保护板电路的工作效率。然而,器件的开关频率和热阻(Rth(j-c))也主要点。
8串锂电池保护板厂家产品电路图之前用IPP04N06N3型号MOS管。当下的状态和现状,意望寻求纯国产n沟道增强型MOS管工厂提供订购FHS200N6F3A型号的n沟道增强型MOS管用在8串锂电池保护板代换IPP04N06N3型号MOS管使用。
1、具有200a电流、60v电压
2、最高栅源电压:±20V
3、N沟道增强型场效应晶体管
4、RDS(ON):2.85mΩ(Typ)、3.5mΩ(Max)
5、快速的开关能力
6、阈值电压:2.0-4.0V
7、正向最大连续电流:200A
FHS200N6F3A型号MOS管成熟可靠,寿命质量特别好的n沟道增强型MOS管!
飞虹半导体非常愿意安利使用FHS200N6F3A型号的n沟道增强型MOS管,以提升8串锂电池保护板电路的控制能力。这种额定参数为200a、60v的n沟道增强型MOS管,实现真正破解产品可靠性弱、产品寿命短、效率不高等问题。
8串锂电池保护板电路可专用纯国产FHS200N6F3A型号n沟道增强型MOS管。飞虹半导体n沟道增强型MOS管工厂极力为8串锂电池保护板、开关电源、DC/DC转换器等电子厂商提供舒适的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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