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便携储能电源电子设计师在国产替代SVG095R0NT型号低压SGTMOSFET时,需要仔细辨别多个重点因子。首先是低压SGTMOSFET的性能参数,像电流能否做到了147安、额定电压能否做到了97v等,触及参数密不可分了器件的工作效率。
便携储能电源厂家产品电路之前用SVG095R0NT型号SGTMOSFET。如今,需要找出国内低压SGTMOSFET代理商供货FHS120N9F4A型号的低压SGTMOSFET用在便携储能电源国产替代SVG095R0NT型号SGTMOSFET使用。
1、反向传输电容:23pF
2、静态导通电阻RDS(ON):4.8mΩ(Typ)、5.5mΩ(Max)
3、N沟道场效应晶体管
4、最高栅源电压Vgs:±20V
5、100%Rg测试
6、VGS(th):2.3-3.8V
7、具有147安电流、97v电压
得益于行业前辈介绍,在得知了飞虹半导体是黑龙江双鸭山正规的低压SGTMOSFET代理商,所以采选FHS120N9F4A型号的低压SGTMOSFET用在便携储能电源。
飞虹半导体愿意分享采选FHS120N9F4A型号的低压SGTMOSFET,以晋升便携储能电源电路的功率开关能力。这种147安、97v的低压SGTMOSFET符合于事实解除产品可靠性差、电磁干扰影响、效率不高等障碍问题。
飞虹半导体供货的FHS120N9F4A型号低压SGTMOSFET,是便携储能电源、锂电池保护和直流变换器,降压变换器等电子产品厂商的优选,解决电路开发中的各种问题。保障元器件供应,详情请联系免费试样热线:400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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