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电池均衡板电子工程师在替代HYG065N07NS1P型号超低内阻MOS管时,需要细心挑选多个重要方面。首先是超低内阻MOS管的性能参数,正如说电流能否得到了120a、额定电压能否得到了70伏等,触及参数密不可分了器件的工作效率。
依电池均衡板电子工程师的贴身定制要求,FHS120N7F6A供给了一个专业的超低内阻MOS管解决措施,其技术规格与HYG065N07NS1P得到了与之相当,详情重视其详细的参数:
1、N沟道场效应晶体管
2、优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)
3、最大脉冲漏极电流:480A
4、静态导通电阻:5.4mΩ(Typ)、6.4mΩ(Max)
5、最高栅源电压Vgs:±20V
6、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
7、具有120a电流、70伏电压
飞虹半导体强烈推荐使用FHS120N7F6A型号的超低内阻MOS管,以抬高电池均衡板电路的控制能力。这种额定参数为120a、70伏的超低内阻MOS管,兼顾本质克服产品品牌口碑下降、散热能力低、效率下降等存在麻烦。
打破电池均衡板电路开发的瓶颈,飞虹半导体超低内阻MOS管厂家的FHS120N7F6A型号成为电池均衡板企业的明智的决定。综合性管理的元器件供应保障,就在一通电话之遥:400-831-6077。
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