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DC-AC逆变器电子技术员在决定IPP045N10N3G型号n沟道增强型MOSFET进行代换时,需求特别关切其性能指标,好像电流会不会满足172安、电压会不会到达100v等,提及指标决定影响了器件的工作效率。值得一提的是,器件的安全工作区(SOA)和短路耐量(ShortCircuitCapability)也重要方面。
FHA170N1F4A,一款适逢用于要求高度严格的DC-AC逆变器电子技术员的n沟道增强型MOSFET产品。它在技术上完全适宜IPP045N10N3G,详细参数可关切:
1、最高栅源电压Vgs:±20V
2、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
3、静态导通电阻RDS(ON):3.6mΩ(Typ)、4.4mΩ(Max)
4、SGT工艺
5、具有172安电流、100v电压
6、N沟道增强型场效应晶体管
FHA170N1F4A型号MOSFET在DC-AC逆变器中控制稳妥。
从这个方面来讲企望增进DC-AC逆变器电路的控制能力,飞虹半导体建议决定FHA170N1F4A型号n沟道增强型MOSFET。172安、100v的n沟道增强型MOSFET,它实效化解产品可靠性降低、电磁影响、安全效益差等麻烦问题。
打破DC-AC逆变器电路开发的瓶颈,飞虹半导体n沟道增强型MOSFET厂家的FHA170N1F4A型号成为DC-AC逆变器公司的最具吸引力的选择。一站点的元器件供应保障,就在一通电话之遥:400-831-6077。
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