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当降压升压变换器电子工程师进行STP80N10F型号n沟道增强型MOS管的替换时,需求认真选择多个重点方面。首先,n沟道增强型MOS管的性能参数至关重要,好比电流是否做到60A、电压是否做到100v等,上述参数直接关系着器件的工作效率。额外的考虑因素是,击穿电压(BVCES)和关断电荷量也关键特征,强劲的击穿电压(BVCES)性能能够提升增进降压升压变换器的质量。
针对了降压升压变换器电子工程师的私人化需求,FHP60N1F10A供给了一个专业的n沟道增强型MOS管解决快速方法,其技术规格与STP80N10F做到作用相同,详情考虑其详尽的参数:
1、场N沟道增强型
2、最高栅源电压:±20V
3、100%DVDS测试
4、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
5、具有60A电流、100v电压
6、RDS(ON):10.2mΩ(Typ)、12mΩ(Max)
郝先生考虑选取飞虹半导体,是因FHP60N1F10A型号用在降压升压变换器。
飞虹半导体愿意安利选取FHP60N1F10A型号的n沟道增强型MOS管,以优化降压升压变换器电路的转换电流能力。这种60A、100v的n沟道增强型MOS管能够实在克服产品电磁干扰影响、散热问题、产品存安全隐患等疑难问题。
选择飞虹半导体的FHP60N1F10A型号n沟道增强型MOS管,辅导降压升压变换器企业克服电路开发难题,确保稳定的元器件供应。咨询热线:400-831-6077,免费试样等你拿!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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