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产品参数
Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(Ω) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | ||||
FHP640A | N | TO-220 | 30 | 2~4 | 18 | 200 | 0.125 | 0.18 |
产品详情
【产品描述】
FHP640A,可适用于48V/60V输入逆变器前级DC-DC升压电路(Q1-Q2),也可适用于AC110V输出电压的修正波DC-AC全桥逆变电路(Q3-Q6)。可替代IR场效应管品牌型号:IRF640;
【产品特点】
飞虹640Amos管,一致性好,高可靠性,雪崩耐量高。
【应用举例】
热门标签: FHU70N03VFHD70N03V国产FHP230N06V国产FHP100N08VFHP230N06V国产MOS管
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飞虹半导体推出的640A MOSFET,专为48V/60V输入逆变器前级DC-DC升压电路设计,提供高效、可靠的性能,是IRF640的理想国产替代方案。
当工程师在48V/60V逆变前级电路遭遇散热瓶颈时,飞虹半导体FHP640A以200V耐压与72A脉冲电流展现国产MOS管的雪崩耐量优势,TO-247封装下0.73℃/W热阻值重塑功率器件选型逻辑。
本文深度解析国产MOS管FHP230N06V在车载高频逆变器应用中的参数优势,揭示国产半导体器件在开关损耗、雪崩耐量等关键指标上的技术突破。
本文深度剖析国产MOS管在DC-AC全桥逆变电路中的关键作用,揭示飞虹半导体FHP640A如何通过200V耐压、18A电流及100%雪崩测试等硬核参数实现进口替代,为采购商提供高性价比解决方案。
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