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对于家庭储能电源电子设计师而言,在替代IPP052N08N5型号中低压mos管时,需要仔细检查多个关键指标。首先是中低压mos管的性能参数,如电流是否到达147安、电压是否到达85伏等,上述参数与器件的工作效率之间有紧密牵连的。
FHP110N8F5B成功替代了IPP052N08N5,还能在不少国际家庭储能电源生产公司中可以获得广泛被应用。分享明白其详细技术参数:
1、静态导通电阻RDS(ON):4.4mΩ(Typ)、5.5mΩ(Max)
2、具有147安电流、85伏电压
3、N沟道增强型场效应晶体管
4、雪崩电流:19A
5、优异的抗短路性能
6、最高栅源电压Vgs:±20V
冀望增进家庭储能电源的转换电流能力,飞虹半导体解决余生需求,所以选用FHP110N8F5B型号mos管。
飞虹半导体分享使用FHP110N8F5B型号的中低压mos管,以增进家庭储能电源电路的转换电流能力。这种额定参数为147安、85伏的中低压mos管,实现根本排解产品可靠性差、效率不高、散热能力低、品牌口碑下降等障碍问题。
家庭储能电源电路可常用国产FHP110N8F5B型号中低压mos管。飞虹半导体中低压mos管制造商全心全意为家庭储能电源、电动车、隔离型直流变换器等电子厂商提供稳当的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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