参数替代STP150N10F7，FHS170N1F4ASGTMOSFET的性能参数探析

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-07-18 浏览量：839 分享至：

以及市场框架的持续繁衍，锂电池保护板对SGTMOSFET要求也显著增加。锂电池保护板管理者在面临该通过哪种渠道选型SGTMOSFET可以享有匹配其电路图的产品呢？

对于SGTMOSFET市场而言，广泛存在品牌口碑下降、可靠性差等疑难问题是不可忽略掉的，确保锂电池保护板设备的可靠运转，迫切需要找出比较好的替代SGTMOSFET产品。

STP150N10F7型号SGTMOSFET在锂电池保护板电子工程中的运用，需要技术员着重关心其性能参数，例如，额定电流会不会做到了172a、额定电压会不会做到了100伏等，所述参数关联紧密着锂电池保护板电路的工作效率。再者，器件的关断电荷量和散热效果也优先考虑因素。

FHS170N1F4A成功替代了STP150N10F7，也在大规模国际锂电池保护板生产工厂中能够得到大面积采用。非常愿意推荐了解其详细技术参数：

1、VGS（th）：2.0-4.0V
2、实现快速硬开关
3、具有172a电流、100伏电压
4、N沟道场效应晶体管
5、静态导通电阻：3.4mΩ（Typ）、4.2mΩ（Max）
6、反向传输电容：33pF
7、Vgs：±20V

客户对FHS170N1F4A型号SGTMOSFET认可度蛮高，引领潮流的SGTMOSFET全明星产品!

为了改良锂电池保护板电路的功率开关性能，飞虹半导体非常愿意推荐采用型号为FHS170N1F4A的SGTMOSFET。这款额定电流172a、额定电压100伏的SGTMOSFET，满足于现实克服产品品牌口碑下降、可靠性差等疑难问题。

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