电路新风向，FHS170N1F4Amos管是否国产替代SVG104R0NT

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-08-05 浏览量：665 分享至：

技术的日益升级，引起电力电子变流器件在各个传统产业的需求逐年增加。紧要的是在锂铁磷酸电池和变频器等领域，对于像mos管能够精准控制和调节电流的器件需求更加热切。在锂铁磷酸电池电路设计中，选拔一款创新的的国产mos管器件来国产替代SVG104R0NT型号显得极度要紧的。

现行mos管产品面临效率不高、电磁影响、散热问题等未知疑问，这些都直接关系锂铁磷酸电池设备的可靠工作，选拔优秀品质能国产替代mos管极度要紧的。

锂铁磷酸电池电子设计师在选拔SVG104R0NT型号mos管时，确定必要留意其性能参数，比如，电流是否得到了172安、额定电压是否得到了100伏等，上述指标与锂铁磷酸电池电路的工作效率直接关系。额外的重点是，Vcesat饱和压降和短路耐量(ShortCircuitCapability)也是优先级高的因素。

FHS170N1F4A，一款起作用于要求严明的锂铁磷酸电池电子设计师的mos管产品。它在技术上契合SVG104R0NT，详尽参数可留意：

1、最大脉冲漏极电流：480A
2、静态导通电阻RDS(ON)：3.4mΩ（Typ）、4.2mΩ（Max）
3、最高栅源电压Vgs：±20V
4、具有172安电流、100伏电压
5、优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)
6、N沟道增强型场效应晶体管
7、阈值电压：2.0-4.0V

期望提升增添锂铁磷酸电池电路的功率开关性能，飞虹半导体非常介绍选拔实力雄厚的FHS170N1F4A型mos管，其172安、100伏的参数有效处理了产品的效率不高、电磁影响、散热问题未知疑问。

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