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电池管理系统电子技术员在替代HY1906型号中低压SGTMOSFET运用时,需要看繁多的核心方面。好比说,中低压SGTMOSFET的性能参数:额定电流能否实现了120a、额定电压能否实现了70V等,所述都决定影响器件的工作效率。与此同时,热阻和电压上升率(dv/dt)也是核心的关注点。
FHS120N7F6A成功替代了HY1906,并在大批全球电池管理系统制造商中能够获取大范围推广。强烈提议清楚其详细技术参数:
1、具有120a电流、70V电压
2、静态导通电阻:5.4mΩ(Typ)、6.4mΩ(Max)
3、100%经过雪崩测试
4、VGS(th):2.0-4.0V
5、正向最大连续电流:120A
6、场N沟道增强型
在这种情景下盘算提升增添电池管理系统电路的功率开关能力,飞虹半导体强烈提议选择FHS120N7F6A型号中低压SGTMOSFET。120a、70V的中低压SGTMOSFET,它实际解除产品效率不高、产品寿命短等存在难题。
电池管理系统电路可用国内FHS120N7F6A型号中低压SGTMOSFET。飞虹半导体中低压SGTMOSFET代理尽量为电池管理系统、音响功放、降压型DC/DC转换器等电子厂商提供极大的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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