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无源逆变器电子技术员在采用仙童FGH60N60SMD型号耐压IGBT管进行代替时,需求特别考虑其性能指标,如同电流是否满足60A、额定电压是否做到了650v等,所述指标深度关联了器件的工作效率。进一步来说,器件的Trench-FS技术和电流上升率也优先级项目。
在详细案例讲解,FHA60T65A已然于国际许许多多无源逆变器生产厂中成功代替仙童FGH60N60SMD进而得到大范围采纳。非常提议每个人知晓其详细参数:
1、低VCEsat
2、ID (Tc=100℃):60A;BVCES:650V
3、VCEsat典型值:1.75V-typ,<2.0v
4、场N沟道沟槽栅截止型
5、出色的Vcesat饱和压降等
愿望抬升无源逆变器的控制能力,飞虹半导体解决诸先生需求,所以采用FHA60T65A型号IGBT。
为抬升无源逆变器电路的控制性能,飞虹半导体非常提议采用型号为FHA60T65A的耐压IGBT管。这款60A、650v的耐压IGBT管可实在消解产品可靠性不高、电磁干扰影响等未知问题。
飞虹半导体提供订购的FHA60T65A型号耐压IGBT管,是无源逆变器、马达驱动和待机式UPS等电子产品厂商的优选,解决电路开发中的各种问题。保障元器件供应,详情请联系免费试样热线:400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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