电路新风向，FHD120N7F6ASGTMOSFET可不可以代替FHP100N07C

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-11-01 浏览量：560 分享至：

以及科技的持续完善，各领域对大功率器件的须要显著增长。分外注意的是在功率开关、DC/DC电源等行业，对于控制与调节电流的器件——SGTMOSFET的须要是当务之急。怎么样拣选一款国内能代替FHP100N07C型号用于功率开关电路中的显得很重要。

SGTMOSFET的质量问题如可靠性低、安全效益差等，是会对功率开关的正常执行造成影响，搜索一流品质的代替型号SGTMOSFET产品就显得很重要。

功率开关电子设计师在拣选FHP100N07C型号SGTMOSFET时，最好考虑其性能参数，好像，额定电流可不可以实现120a、额定电压可不可以实现70V等，所述指标与功率开关电路的工作效率直接相关。除了上述内容，拖尾电流和高可靠性也是重要组成部分。

FHD120N7F6A在多数国内功率开关公司的选择中，早已代替了FHP100N07C，再者获得大规模推广。大家建议您仔细查考虑其详细的产品规格：

1、雪崩电流：15A
2、静态导通电阻：5.4mΩ（Typ）、6.4mΩ（Max）
3、具有120a电流、70V电压
4、VGS（th）：2.0-4.0V
5、N沟道增强型场效应晶体管
6、优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)
7、最高栅源电压：±20V

飞虹半导体强烈提议拣选FHD120N7F6A型号的SGTMOSFET，以提升功率开关电路的控制能力。这种120a、70V的SGTMOSFET符合实时克服产品可靠性低、安全效益差等麻烦问题。

打破功率开关电路开发的瓶颈，飞虹半导体SGTMOSFET厂家的FHD120N7F6A型号成为功率开关公司的最佳决策。全程一站式的元器件供应保障，就在一通电话之遥：400-831-6077。