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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
待机式UPS电子工程师在国产替代FGH75N65SHDT型号IGBT取用时,需要考虑很多关键特点。正如,IGBT的性能参数:额定电流可不可以实现了75A、电压可不可以实现了650V等,阐述都紧密相关器件的工作效率。更进一步,安全工作区(SOA)和电压上升率也是必须关注的事项。
在相关案例,FHA75T65A近期在国外大量待机式UPS厂家中成功国产替代FGH75N65SHDT进而可以获得大量应用。非常提议朋友们了解其详细参数:
1、RoHS产品
2、具有75A、650V的电路、电压
3、VCEsat典型值:1.75V-typ,<2.0V
4、场N沟道沟槽栅截止型
5、关断损耗低等
客户对FHA75T65A型号IGBT认可度高,非常著名的IGBT全明星产品!
飞虹半导体的FHA75T65A型IGBT,75A和650V的组合为待机式UPS电路带来控制能力的增多,并解决效率不高、可靠性降低等未知问题。
飞虹半导体在定制IGBT的服务作风做到热情周到,出货质量十分好的FHA75T65A型号参数。能为待机式UPS、正弦波输出逆变器等领域提供最为稳当的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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