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当开关电源板电子技术员进行STP110N8F6型号n沟道增强型mos管的代替时,需求专注查找多个关键指标。首先,n沟道增强型mos管的性能参数燃眉之急,好比电流可不可以实现了120安、电压可不可以实现了85v等,枚举参数密切相关着器件的工作效率。不可或缺的是,饱和压降(VCE(sat))和温度系数也重点环节,优越的饱和压降(VCE(sat))性能实现提升增长开关电源板的质量。
据开关电源板电子技术员的独特的需求,FHD100N8F6A供给了一个专业的n沟道增强型mos管解决方式,其技术规格与STP110N8F6实现了主要特点相同,详情考虑其详细的参数:
1、N沟道增强型场效应晶体管
2、具有120安电流、85v电压
3、阈值电压:2.0-4.0V
4、最高栅源电压:±20V
5、静态导通电阻:5.3mΩ(Typ)、6.5mΩ(Max)
6、快速的开关能力
7、最大脉冲漏极电流:320A
正因如此预想提升增长开关电源板电路的转换电流能力,飞虹半导体非常分享挑选FHD100N8F6A型号n沟道增强型mos管。120安、85v的n沟道增强型mos管,它有效克服产品可靠性低、效率不高、散热效果不佳、品牌口碑下降等疑难杂症。
打破开关电源板电路开发的瓶颈,飞虹半导体n沟道增强型mos管厂家的FHD100N8F6A型号成为开关电源板生产公司的最佳策略。全面升级的元器件供应保障,就在一通电话之遥:400-831-6077。
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