锂铁磷酸电池电路的创新，MOSFET国内FHD60N1F10A型号应该怎样成为佼佼者

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-12-05 浏览量：633 分享至：

哪家有MOSFET代理才具有能代替IPP126N10N3G型号MOSFET用在锂铁磷酸电池电路中？

当下状况MOSFET产品面临散热效率低、电磁影响、效率不高等疑问，这些都紧密关联锂铁磷酸电池设备的常规反应，选用精良品质能代替MOSFET关键。

锂铁磷酸电池电子工程师在选用IPP126N10N3G型号MOSFET进行代替时，需要特别注重其性能指标，像额定电流会不会满足60a、额定电压会不会得到100v等，这些指标紧密关联了器件的工作效率。同理，器件的封装类型和电压上升率(dv/dt)也重点方面。

安设计师企望探索国内MOSFET代理供应FHD60N1F10A型号的MOSFET用在锂铁磷酸电池，实现MOSFET的代替使用。

1、静态导通电阻RDS(ON)：10.2mΩ（Typ）、12mΩ（Max）
2、雪崩电流：15A
3、具有60a电流、100v电压
4、Vgs：±20V
5、阈值电压VGS（th）：2.0-4.0V
6、N沟道场效应晶体管

企望升高锂铁磷酸电池的控制能力，飞虹半导体解决安先生需求，所以选用FHD60N1F10A型号MOSFET。

升高锂铁磷酸电池电路性能的起决定作用的是控制能力，飞虹半导体的FHD60N1F10A型MOSFET以其60a、100v的强大参数，确保应对产品的散热效率低、电磁影响、效率不高疑问。

锂铁磷酸电池电路可专用国内FHD60N1F10A型号MOSFET。飞虹半导体MOSFET代理不遗余力为锂铁磷酸电池、开关电源、升降压型DC/DC转换器等电子厂商提供最大的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线： 400-831-6077！