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     STP110N8F6型号中低压MOSFET在开关电源电子工程中的采用,需要技术员着重关注其性能参数,例如说,额定电流能不能做到120安、额定电压能不能做到85V等,触及参数直接决定着开关电源电路的工作效率。接下来,器件的击穿电压和Vcesat饱和压降也重点考虑因素。
依仗了开关电源电子技术员的个性化需要,FHP100N8F6A供给了一个专业的中低压MOSFET解决方案,其技术规格与STP110N8F6做到相似水平,详情关注其详尽的参数:
1、场N沟道增强型
2、阈值电压:2.0-4.0V
3、正向最大连续电流:80A
4、100%经过雪崩测试
5、具有120安电流、85V电压
6、静态导通电阻RDS(ON):5.3mΩ(Typ)、6.5mΩ(Max)
STP110N8F6型号中低压MOSFET在开关电源电子工程中的采用,需要技术员着重关注其性能参数,例如说,额定电流能不能做到120安、额定电压能不能做到85V等,触及参数直接决定着开关电源电路的工作效率。接下来,器件的击穿电压和Vcesat饱和压降也重点考虑因素。
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 预期在廊坊市找FHP100N8F6A型号的中低压MOSFET,抬升开关电源性能,廊坊市开关电源厂家领导者凌小姐因服务非常好抉择飞虹半导体
为了强化开关电源电路的转换电流效率,飞虹半导体推上FHP100N8F6A型中低压MOSFET。凭借120安和85V的优越参数,轻松排解产品电磁干扰、散热效率低、可靠性弱的疑问。
为电子工厂排解电路开发问题,飞虹半导体的FHP100N8F6A型号中低压MOSFET值得信赖。电动车、移动储能电源等应用都有保障,欢迎咨询400-831-6077获取免费试样服务!
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