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DC/DC模块电子工程师在国产替代英飞凌IPP030N10N3G型号超低内阻MOSFET时,需要专心致志多个重点。首先是超低内阻MOSFET的性能参数,如同电流可不可以到达250a、电压可不可以到达100v等,阐述参数决定影响了器件的工作效率。
依据争取高能效DC/DC模块的电子工程师而言,FHA250N1F2A的超低内阻MOSFET产品是您的明智决策,它的技术规格与英飞凌IPP030N10N3G精准可相配,详细可关切参数:
1、RDS(ON):2.5mΩ(Typ)、3.0mΩ(Max)
2、具有250a电流、100v电压
3、Vgs:±20V
4、100%DVDS热阻测试
5、N沟道增强型场效应晶体管
6、VGS(th):2.0-4.0V
7、雪崩电流:32A
渴望在晋城市找FHA250N1F2A型号的超低内阻MOSFET,增加DC/DC模块性能,晋城市DC/DC模块厂家领导者葛女士因服务好决计飞虹半导体
飞虹半导体的FHA250N1F2A型超低内阻MOSFET,250a和100v的组合为DC/DC模块电路带来控制能力的增加,并化解效率不高、安全效益差等未知难题。
DC/DC模块生产厂家选择飞虹半导体超低内阻MOSFET厂家,努力为锂电池保护、AC-DC转换器等电子生产厂家提供最为靠谱的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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