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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
        
    
对于BMS电子技术员而言,在代替IPP041N04NG型号MOSFET时,需求详细检查多个重要特性。首先是MOSFET的性能参数,如额定电流可不可以实现了200安、额定电压可不可以实现了40伏等,前述参数与器件的工作效率之间存在直接纽带的。
大规模全球BMS生产厂家先前已经将FHS200N4F3A当作IPP041N04NG的代替品,还能够获得广泛采纳。建议大家详细知道其性能参数:
1、N沟道增强型场效应晶体管
2、具有200安电流、40伏电压
3、Vgs:±20V
4、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
5、雪崩电流:20A
6、静态导通电阻RDS(ON):2.4mΩ(Typ)、3.1mΩ(Max)
需要提升增多BMS的控制能力,飞虹半导体解决花女士需求,所以拣选FHS200N4F3A型号MOSFET。
飞虹半导体的FHS200N4F3A型MOSFET,200安和40伏的组合为BMS电路带来控制能力的提升增多,并克服可靠性降低、品牌口碑下降、效率下降等疑问。
飞虹半导体的态度风貌做到诚恳待人,让BMS生产厂家安稳自在的交给其定制FHS200N4F3A型号MOSFET。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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