FHP100N8F6A大电流SGTMOSFET：研发电路的性能提升利器

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-12-26 浏览量：600 分享至：

对多功能储能电源需要120A、85V参数的大电流SGTMOSFET，该何如选择大电流SGTMOSFET可以算是适合多功能储能电源电路图的产品呢？

市场上的大电流SGTMOSFET产品常态常有散热问题、电磁噪声、可靠性低等核心问题，这些核心特点都会直接关联多功能储能电源设备的常规运转，因为如此货源可靠的优质大电流SGTMOSFET对市场掌控率格外关键。

多功能储能电源电子工程师在选定STP110N8F6型号大电流SGTMOSFET时，要有关切其性能参数，像，额定电流能否做到了120a、额定电压能否做到了85V等，这些指标与多功能储能电源电路的工作效率直接关联。同理，温度系数和Vcesat饱和压降也是核心性能。

FHP100N8F6A成功代换了STP110N8F6，并同时在多数全球多功能储能电源制造商中能够收获广泛采纳。介绍了解其详细技术参数：

1、N沟道场效应晶体管
2、具有120a电流、85V电压
3、正向最大连续电流：80A
4、静态导通电阻RDS(ON)：5.3mΩ（Typ）、6.5mΩ（Max）
5、Vgs：±20V
6、VGS（th）：2.0-4.0V

FHP100N8F6A型号SGTMOSFET成熟可靠，寿命质量蛮好的大电流SGTMOSFET!

为了晋升多功能储能电源电路的控制效率，飞虹半导体推上FHP100N8F6A型大电流SGTMOSFET。凭借120a和85V的优越参数，轻松处理产品散热问题、电磁噪声、可靠性低的麻烦。

飞虹半导体给多功能储能电源制造商的大电流SGTMOSFET想法，让人安稳惬意，而且精神风采是热情亲切，后续将长期采购FHP100N8F6A型号大电流SGTMOSFET。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线： 400-831-6077！