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正弦波逆变器电子设计师在选拔英飞凌IPP030N10N3G型号中低压MOSFET时,建议重视其性能参数,例如说,额定电流能否得到250安、额定电压能否得到100V等,以上指标与正弦波逆变器电路的工作效率直接牵涉。不可或缺的是,反向并行的快恢复和拖尾电流也是首当其冲的重点。
围绕着正弦波逆变器领域的设计师来说,选拔FHA250N1F2A的中低压MOSFET产品就等于选拔与英飞凌IPP030N10N3G技术参数完全相通的解决综合解决方案,让你们仔细重视详细参数:
1、最大脉冲漏极电流:1000A
2、静态导通电阻RDS(ON):2.5mΩ(Typ)、3.0mΩ(Max)
3、最高栅源电压:±20V
4、具有250安电流、100V电压
5、开关速度快
6、场N沟道增强型
期待增高正弦波逆变器的控制能力,飞虹半导体解决黄女士需求,所以选拔FHA250N1F2A型号MOSFET。
由于这个原因期待增高正弦波逆变器电路的控制能力,飞虹半导体乐意举荐选拔FHA250N1F2A型号中低压MOSFET。250安、100V的中低压MOSFET,它本质应对产品电磁干扰影响、可靠性降低、安全效益差等疑难杂症。
正弦波逆变器制造商选择飞虹半导体中低压MOSFET代理商,致力为开关电源、便携电源等电子制造商提供最为可靠的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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