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     高频开关电源电子技术员在代替SVG095R0NT型号SGTMOSFET使用时,需要关注全局的核心特性。就像说,SGTMOSFET的性能参数:额定电流会不会到达147A、电压会不会到达85V等,叙述都直接相关器件的工作效率。况且,Trench-FS技术和Vcesat饱和压降也是重要性能。
许许多多全国高频开关电源公司以前将FHD110N8F5B作为SVG095R0NT的代替品,进而能够取得大范围应用。建议任何人详细知晓其性能参数:
1、N沟道增强型场效应晶体管
2、具有147A电流、85V电压
3、最高栅源电压Vgs:±20V
4、VGS(th):2.0-4.0V
5、雪崩电流:19A
6、RDS(ON):4.4mΩ(Typ)、5.5mΩ(Max)
高频开关电源电子技术员在代替SVG095R0NT型号SGTMOSFET使用时,需要关注全局的核心特性。就像说,SGTMOSFET的性能参数:额定电流会不会到达147A、电压会不会到达85V等,叙述都直接相关器件的工作效率。况且,Trench-FS技术和Vcesat饱和压降也是重要性能。
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4、VGS(th):2.0-4.0V
5、雪崩电流:19A
6、RDS(ON):4.4mΩ(Typ)、5.5mΩ(Max)
 飞虹半导体的FHD110N8F5B型SGTMOSFET,147A和85V的组合为高频开关电源电路带来转换电流能力的抬升,并消解散热问题、电磁干扰影响、可靠性不高等疑问。
打破高频开关电源电路开发的瓶颈,飞虹半导体SGTMOSFET厂家的FHD110N8F5B型号成为高频开关电源公司的最佳候选者。全方位一站式的元器件供应保障,就在一通电话之遥:400-831-6077。
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