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     在电子负载开关电子工程中,选择HY1906型号MOSFET需要工程师着重留意其性能指标,就像说额定电流可不可以满足120安、电压可不可以到达70v等,这些指标与电子负载开关电路的工作效率密不可分。额外的重点是,器件的击穿电压(BVCES)和开关频率也核心环节,先进的击穿电压(BVCES)性能满足提升加强电子负载开关的质量。
120A、70V参数是电子负载开关厂家的张设计师搜寻国内MOSFET代替生产厂家的关注点,其须要搜寻质量十分好的MOSFET生产厂家。
1、具有120安电流、70v电压
2、有效提高了转换效率
3、雪崩电流:15A
4、N沟道场效应晶体管
5、最高栅源电压Vgs:±20V
6、阈值电压:2.0-4.0V
在电子负载开关电子工程中,选择HY1906型号MOSFET需要工程师着重留意其性能指标,就像说额定电流可不可以满足120安、电压可不可以到达70v等,这些指标与电子负载开关电路的工作效率密不可分。额外的重点是,器件的击穿电压(BVCES)和开关频率也核心环节,先进的击穿电压(BVCES)性能满足提升加强电子负载开关的质量。
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6、阈值电压:2.0-4.0V
 FHS120N7F6A型号MOSFET长寿命,寿命质量十分好的MOSFET!
为了改善电子负载开关电路的控制性能,飞虹半导体非常介绍选择型号为FHS120N7F6A的MOSFET。这款额定电流120安、额定电压70v的MOSFET,满足实效应对产品可靠性不高、散热效果不佳等疑问问题。
打破电子负载开关电路开发的瓶颈,飞虹半导体MOSFET厂家的FHS120N7F6A型号成为电子负载开关生产公司的最佳策略。全面管理的元器件供应保障,就在一通电话之遥:400-831-6077。
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