科技的高速发展，助激功率控制开关器件在各行业的需求不止增多。严格的是在13串锂电池保护板和笔记本电脑的供电系统等行业，对于像SGTMOSFET完成精准控制和调节电流的器件需求更加殷切。在13串锂电池保护板电路设计中，选择一款稳定的的国产SGTMOSFET器件来国产替代IPP037N08N3G型号显得十分紧要的。 SGTMOSFET的质量问题如效率下降、可靠性低、产品寿命短等，那是能对13串锂电池保护板的正常反应造成影响，寻觅超高质量的国产替代型号SGTMOSFET产品就显得十分紧要的。 对于13串锂电池保护板电子技术员而言，在国产替代IPP037N08N3G型号SGTMOSFET时，需求审慎选择多个关键细节。首先是SGTMOSFET的性能参数，如额定电流是否得到185a、额定电压是否得到85V等，前述参数与器件的工作效率有紧密相关性的。 相当多全球13串锂电池保护板公司之前就已经将FHS170N8F3A当作IPP037N08N3G的国产替代品，并可以获得大范围采取。建议大家详细明白其性能参数： 1、雪崩电流：30A 2、最高栅源电压Vgs：±20V 3、具有185a电流、85V电压 4、VGS（th）：2.0-4.0V 5、场N沟道增强型 6、获得极低的RDSON导通内阻 7、静态导通电阻RDS(ON)：2.95mΩ（Typ）、4mΩ（Max） FHS170N8F3A型号SGTMOSFET在13串锂电池保护板中控制保持稳定。 增高13串锂电池保护板电路性能的源于转换电流能力，飞虹半导体的FHS170N8F3A型SGTMOSFET以其185a、85V的强大参数，确保克服产品的效率下降、可靠性低、产品寿命短存在困难。 打破13串锂电池保护板电路开发的瓶颈，飞虹半导体SGTMOSFET厂家的FHS170N8F3A型号成为13串锂电池保护板公司的合理决策。一站式升级的元器件供应保障，就在一通电话之遥：400-831-6077。