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在锂聚合物电池电子工程中,拣选SVG10120NAT型号耐压SGTMOSFET需要设计师着重重视其性能指标,正如额定电流能否满足60a、额定电压能否做到100伏等,前述指标与锂聚合物电池电路的工作效率密切相关。进一步来说,器件的封装类型和拖尾电流也必须关注的事项,高端的封装类型性能符合增多锂聚合物电池的质量。
锂聚合物电池厂家产品电路图之前用SVG10120NAT型号SGTMOSFET。当前的现状和状态,希冀探索国内耐压SGTMOSFET代理交付FHD60N1F10A型号的耐压SGTMOSFET用在锂聚合物电池代换SVG10120NAT型号SGTMOSFET使用。
1、RDS(ON):10.2mΩ(Typ)、12mΩ(Max)
2、VGS(th):2.0-4.0V
3、100%经过热阻测试
4、N沟道增强型场效应晶体管
5、Vgs:±20V
6、反向传输电容:10pF
希冀增多锂聚合物电池的功率开关能力,飞虹半导体解决封总需求,所以拣选FHD60N1F10A型号SGTMOSFET。
飞虹半导体的FHD60N1F10A型耐压SGTMOSFET,60a和100伏的组合为锂聚合物电池电路带来功率开关能力的增多,并排解产品寿命短、电磁噪声、散热问题等存在问题。
锂聚合物电池电路可常用国内FHD60N1F10A型号耐压SGTMOSFET。飞虹半导体耐压SGTMOSFET代理力求为锂聚合物电池、电动车、非隔离型直流变换器等电子厂商提供靠谱的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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