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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
储能电源电子工程师在代换英飞凌IPP030N10N3G型号mos管运行时,需求注意全局的核心方面。像,mos管的性能参数:额定电流能不能达到了250A、额定电压能不能达到了100v等,前述都紧密相关器件的工作效率。另一考虑因素是,门极阈值电压和击穿电压(BVCES)也是重要的因素。
储能电源厂家产品电路图之前用英飞凌IPP030N10N3G型号mos管。当前,预期搜索国产mos管代理出售FHS250N1F2A型号的mos管用在储能电源代换英飞凌IPP030N10N3G型号mos管使用。
1、N沟道增强型场效应晶体管
2、最大脉冲漏极电流:1000A
3、具有250A电流、100v电压
4、静态导通电阻RDS(ON):2.5mΩ(Typ)、3.0mΩ(Max)
5、100%经过热阻测试
6、VGS(th):2.0-4.0V
飞虹半导体的FHS250N1F2A型mos管,250A和100v的组合为储能电源电路带来控制能力的增多,并解救产品缩短寿命、电磁干扰等疑难杂症。
储能电源等电子产品开发不再困窘,有飞虹半导体的FHS250N1F2A型号mos管在提供锂电池保护、DC-AC逆变器等解决策略。元器件供货有保障,赶紧拨打400-831-6077试样热线体验服务!
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