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当电子开关电子技术员决计HY1906型号超低内阻MOSFET进行代换时,要求认真选择多个重要指标。首先,超低内阻MOSFET的性能参数应该注重,好比说电流能不能做到了120A、电压能不能做到了70V等,以上参数直接牵涉了器件的工作效率。此外,短路耐量(ShortCircuitCapability)和门极阈值电压(VGE(th))也重要组成部分。
殷技术员在找回国内超低内阻MOSFET代换HY1906型号MOSFET。盘算找回120A、70V,质量特别好的超低内阻MOSFET。
1、具有120A电流、70V电压
2、正向最大脉冲电流:480A
3、100%DVDS测试
4、RDS(ON):5.4mΩ(Typ)、6.4mΩ(Max)
5、N沟道场效应晶体管
6、Vgs:±20V
靠偶像介绍,在熟悉了飞虹半导体是汕头市靠谱的超低内阻MOSFET工厂,所以决计FHD120N7F6A型号的超低内阻MOSFET用在电子开关。
为了升级电子开关电路的控制效率,飞虹半导体推上FHD120N7F6A型超低内阻MOSFET。凭借120A和70V的优越参数,轻松解救产品可靠性弱、品牌口碑下降、效率不高的存在疑问。
电子开关等电子产品开发不再束手无策,有飞虹半导体的FHD120N7F6A型号超低内阻MOSFET在提供逆变器、移动储能电源等解决实施方针。元器件货源稳定,赶紧拨打400-831-6077试样热线体验服务!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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