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当BMS电子工程师决计IPP041N04NG型号场效应管进行代换时,要求专心考虑多个重点。首先,场效应管的性能参数极其重视,譬如额定电流能不能实现了200安、电压能不能实现了40v等,提及参数密切联系了器件的工作效率。相关的是,关断电荷量(Qgd)和热阻也关键组成部分。
在国外相当多BMS产业中,FHS200N4F3A已成为IPP041N04NG的优秀替代者,还已能够获取大范围采用。请每一位查阅其详尽的产品参数:
1、N沟道增强型场效应晶体管
2、100%经过RG测试
3、具有200安电流、40v电压
4、最大脉冲漏极电流:800A
5、最高栅源电压Vgs:±20V
6、VGS(th):2.0-4.0V
希冀在安徽合肥市找FHS200N4F3A型号的场效应管,加强BMS性能,安徽合肥市BMS厂家总经理华小姐因服务甚好决计飞虹半导体
飞虹半导体为BMS制造商供应了克服方案:FHS200N4F3A型场效应管,一个200安、40v的强力参数,它将有效加强BMS电路的转换电流能力,并克服产品的可靠性不高、电磁干扰困难。
飞虹半导体给BMS制造商的场效应管提案书,让人安心,而且态度立场是诚恳,后续将长期采购FHS200N4F3A型号场效应管。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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