n沟道MOSFET震撼升级，国产FHP170N8F3A为何能国产替代STP170N8F7

文章类别：MOS管资讯发布时间：2025-02-14 浏览量：580 分享至：

随着者资本主义的持续孕育，移动储能电源对n沟道MOSFET要求也稳步提升。移动储能电源负责者在面临该何如选择n沟道MOSFET能具有配合无误其电路图的产品呢？

n沟道MOSFET的质量问题如可靠性低、电磁影响、散热问题等，总会对移动储能电源的可靠表现造成影响，查询高质量的国产替代型号n沟道MOSFET产品就显得十分关键。

STP170N8F7型号n沟道MOSFET在移动储能电源电子工程中的应用，需要工程师着重留意其性能参数，像，电流是否达到185A、电压是否达到85v等，所述参数密不可分着移动储能电源电路的工作效率。而且，器件的开关频率和并联均流性也关键环节。

FHP170N8F3A，一款在要求极其严苛的移动储能电源电子工程师的n沟道MOSFET产品。它在技术上契合STP170N8F7，详细参数可留意：

1、获得极低的RDSON导通内阻
2、Vgs：±20V
3、静态导通电阻：2.95mΩ（Typ）、4mΩ（Max）
4、场N沟道增强型
5、VGS（th）：2.0-4.0V
6、具有185A电流、85v电压
7、最大脉冲漏极电流：480A

沟通名流介绍，在明白了飞虹半导体是遵义市靠谱的n沟道MOSFET制造商，所以选用FHP170N8F3A型号的n沟道MOSFET用在移动储能电源。

期望提高移动储能电源电路的功率开关性能，飞虹半导体非常介绍选用持久耐用的FHP170N8F3A型n沟道MOSFET，其185A、85v的参数有效解救了产品的可靠性低、电磁影响、散热问题难题。

飞虹半导体在定制n沟道MOSFET的服务做到热情洋溢，供销质量太好的FHP170N8F3A型号参数。能为移动储能电源、LED照明等领域提供极大的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线： 400-831-6077！