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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
后备电源电子技术员在挑拣HYG042N10NS1P型号中低压MOS管进行替代时,需要特别考虑其性能指标,如同额定电流会不会满足172安、额定电压会不会做到100V等,描述指标直接影响到了器件的工作效率。在这一点上,器件的温度系数和关断电荷量也必须注意因素。
大批全球后备电源生产工厂先前早已将FHP170N1F4A当作HYG042N10NS1P的替代品,再者能够收获广泛应用。建议各位详细清楚其性能参数:
1、RDS(ON):3.6mΩ(Typ)、4.4mΩ(Max)
2、雪崩电流:25A
3、具有172安电流、100V电压
4、最高栅源电压Vgs:±20V
5、VGS(th):2.0-4.0V
6、场N沟道增强型
7、有效提高了转换效率
飞虹半导体的FHP170N1F4A型中低压MOS管,172安和100V的组合为后备电源电路带来控制能力的提升增多,并化解可靠性不高、产品寿命短等艰难问题。
飞虹半导体供应出的FHP170N1F4A型号中低压MOS管,是后备电源、锂电池保护和太阳能逆变器等电子产品厂商的优选,解决电路开发中的各种问题。保障元器件供应,详情请联系免费试样热线:400-831-6077!
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