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飞虹半导体推出的FHA60T65A IGBT单管,专为满足现代无源逆变器等大功率应用而设计。其主要参数包括60A的电流承载能力和650V的击穿电压,确保在高负载条件下依然表现出色。VCEsat典型值仅为1.75V,低于2.0V,显著减少了功耗和发热。此外,FHA60T65A采用沟槽栅场截止型设计,拥有极短的拖尾电流,这不仅提高了开关速度,还减少了损耗,提升了整体电路的效率和可靠性。
**优势与应用**
选择FHA60T65A作为仙童FGH60N60SMD的代替型号,工程师可以在保持电路性能的同时,优化成本结构。飞虹半导体作为中国大功率MOS管的重点封装基地,拥有稳定的供应链和完善的技术支持,确保用户在选型和使用过程中无后顾之忧。其产品广泛应用于音响、家用电器、LED照明、电脑电源、充电器、逆变器、电瓶车及汽车电子等领域,展现出高度的适应性和可靠性。
**飞虹半导体的信赖保障**
飞虹半导体位于广州保税区,占地20亩,拥有13000平方米的现代化厂房和300多名员工,确保大规模生产和快速响应客户需求。作为国内优秀的半导体制造企业,飞虹半导体不仅在产品质量上严格把关,还致力于持续研发,以保持技术领先和产品创新。
**结语**
在选择IGBT单管时,精准的参数匹配和可靠的供应保障至关重要。飞虹半导体的FHA60T65A IGBT单管,以其优越的性能和可靠性,成为无源逆变器等大功率应用的理想选择。通过百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线:400-831-6077,您可以进一步了解产品详情并获取免费试样,助力您的电路设计达到更高的水平。*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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