逆变器常用的IGBT单管:650V、75A的FHA75T65V1DL型号性价比更高、高可靠性/短路耐受、低EMI/高开关频率(20kHz+)、双向能量流动支持等。因此在选择可以代换NCE75ED65VT型号IGBT单管时，工程师也是要考虑上述的需求点。

飞虹半导体始终在工程师角度来思考推荐，今天推荐的这一款IGBT单管是能代换NCE75ED65VT型号适用于各类逆变器中。

它就是FHA75T65V1DL型号IGBT单管，它具有75A、650V电流、电压参数，正满足逆变器的电路设计，而且能无缝代换NCE75ED65VTIGBT单管。

FHA75T65V1DL采用飞虹第七代场截止(Trench Field Stop VII)技术工艺设计,使产品具有极低的VCE(sat)和极短的拖尾电流，为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助;并且产品拥有良好的短路性能。

在封装上面，该IGBT单管属于TO-247-3L外形封装，合封了快恢复二极管，支持双向能量流动，且适配市场大多数电路设计。

从FHA75T65V1DL的IGBT单管参数可看:Vge(th)(±V):30;IC-100℃(A):75A;V(BR)CES(V):650V。饱和压降VCESAT(V):1.55V(Typ)、1.8V(Max):最高结温Tjmax=175°C。

正是上述参数，让FHA75T65V1DLIGBT单管是能更好代换NCE75ED65VT型号参数用于逆变器的电路。

FHA75T65V1DL拥有高速开关,低开关损耗;参数一致性高;正温度系数;无铅,满足ROHS环保要求等产品特点。让其不仅能用于逆变器电路，还广泛应用于UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关等产品。

好产品才能占有更多市场，如研发中有选型的问题，欢迎沟通交流。需要选择75A、650V的IGBT单管用于逆变器的选型问题，建议选用FHA75T65V1DL型号IGBT单管。

除参数适合外，飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制IGBT单管产品。