国产MOSFET替代进口首选！飞虹170N1F4A限时试样，助力逆变器效能提升30%

文章类别：MOS管资讯发布时间：2025-09-14 浏览量：309 分享至：

在光伏逆变器领域，某知名厂商长期采用STP150N10F7作为DC-AC转换核心器件。2023年三季度，该企业通过飞虹半导体技术团队提供的替代方案，将主功率电路中的MOSFET全面切换为170N1F4A系列，实测数据显示：在48V工频逆变场景下，整机转换效率提升2.1%，温升降低8℃，同时BOM成本缩减15%。

飞虹170N1F4A的竞争优势主要体现在三个方面：首先，其SGT工艺实现的3.6mΩ超低RDS(ON)，相较同类进口产品降低12%导通损耗；其次，90nC的Qg值使开关损耗下降18%，特别适合光伏逆变器高频开关需求；最重要的是，该器件通过100%雪崩测试，在户外温差变化大的环境中仍保持稳定性能。

对于采购决策者关注的供应链问题，飞虹半导体广州保税区生产基地具备月产300万只TO-220封装产能，从订单确认到交付最短可压缩至7个工作日。针对STP150N10F7的替代需求，我们提供完整的参数对比报告和热设计指南，包括：VDS余量验证（100V vs 80V）、动态特性匹配度分析（trr缩短40ns）、以及不同散热条件下的降额曲线。

在江苏某储能项目现场，工程师特别指出："170N1F4A在推挽电路中的表现超出预期，其4.4mΩ的导通电阻一致性比进口批次更稳定，批量采购单价还能节省0.3美元/只。"这印证了国产MOSFET在关键参数上已具备与进口品牌正面竞争的实力。

选择国产器件不仅是成本考量，更是供应链安全的保障。飞虹半导体通过IATF16949体系认证，所有功率器件均经过-55℃~150℃全温域测试，提供完整的PPAP文档支持。现针对逆变器领域客户开放免费试样计划，包含TO-220/TO-263全封装型号。

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