TO-220封装场效应管：替换IPP037N08N3G型号MOS管可使用的电路设计有这些！

文章类别：精选文章发布时间：2025-11-11 浏览量：89 分享至：

FHP170N8F3A作为一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具备优异的电气特性与可靠性，可广泛适用于各类DC/DC电源、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源的同步整流、储能电源系统，以及园林工具和BLDC电机驱动等高要求场景。

该MOS管不仅能代换IPP037N08N3G及STP170N8F7等型号使用，而且由于其具体参数特点优异还能提升高频开关电源及逆变器的整体性能与EMC表现。

一、FHP170N8F3A在电源与电机驱动设计的特点

电压电流适配广泛：85V的漏源电压（VDSS）与185A的连续漏极电流（ID），使其能够胜任多数DC/DC电源、DC-AC逆变器及电机驱动中的功率开关任务。
低导通电阻，高效率：RDS(on)典型值仅为2.95mΩ@VGS=10V，最大值为4.0mΩ，有效降低导通损耗，提升电源转换效率和电机驱动性能。
强栅极驱动兼容性：VGS耐受范围达±20V，适配主流栅极驱动芯片，提升系统设计的灵活性。
符合RoHS标准，采用SGT（屏蔽栅 trench）工艺，兼具低FOM（RDS(on) × Qg）与高动态性能

二、FHP170N8F3A核心参数的匹配适用

该器件为N沟道增强型功率MOSFET，主要参数如下：

VDSS: 85V
ID: 185A
最大脉冲漏极电流IDM: 480A
RDS(on) = 4.0mΩ(MAX) @VGS = 10 V，RDS(on) =2.95mΩ(TYP) @VGS = 10 V
VGS(th): 2.0--4.0V
封装: TO-220

FHP170N8F3A是一款性能全面、封装适用广的中低压MOSFET，特别适用于DC/DC电源、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源的同步整流、储能电源系统等中高功率应用。飞虹半导体作为国内功率器件重要供应商，不仅提供各类型MOS管、IGBT单管、三极管等标准型号，还支持定制化需求，并已实现与多家厂商的稳定合作。

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