该IGBT单管不仅能代换SGT75T65SDM1P7、JT075N065WED以及IKW75N65ET7等型号使用，而且产品拥有良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。

一、FHA75T65V1DL在上述电路设计中的特点

1. 宽电压电流承载能力

650V高耐压：支持光伏逆变器、UPS等高压场景的直流母线电压需求；

75A连续电流（100℃）：满足电机驱动、电焊机等大电流负载的持续工作要求，适应高温工况。

2. 低导通损耗优化

VCE(sat)=1.55V（典型值）：在75A/25℃条件下显著降低导通损耗，提升光伏逆变器效率；

正温度系数特性：支持多管并联时的均流稳定性，适用于高功率密度设计。

3. 高频开关性能

快速开关特性：

开关损耗低至4.6mJ（25℃，75A）；

上升/下降时间（tr/tf）仅95ns/48ns（典型值），适配变频器、UPS的高频调制需求；

低栅极电荷（Qg=586nC）：减少驱动损耗，提升电焊机等脉冲负载下的响应速度。

4. 高可靠性设计

10μs短路耐受：适用于电机驱动堵转、UPS瞬时过载等极端场景；

结温范围-55~175℃：满足户外光伏、工业变频器宽温域运行需求；

RoHS工艺与Trench-FS VII技术：增强抗干扰能力，延长电焊机等恶劣环境设备寿命。

二、FHA75T65V1DL核心参数的匹配适用

该器件为沟槽栅场截止型IGBT单管，主要参数如下：

• 集电极-发射极电压（VCES）：650 V
• 连续集电极电流（IC）：75 A（Tc=100℃）
• 饱和压降（VCEsat）：1.55 V（Tj=25℃）
• 总开关损耗（Etotal）：4.6 mJ（Tc=25℃）
• 结到壳热阻（Rth(j-c)）：0.263 °C/W
• 总栅极电荷（Qg）：586 nC
• 封装形式：TO-247

FHA75T65V1DL是一款性能全面、封装适用广的IGBT单管，特别适用于太阳能逆变器、UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关等电路设计。飞虹半导体作为国内功率器件重要供应商，不仅提供各类型IGBT单管、IGBT单管、三极管等标准型号，还支持定制化需求，并已实现与多家厂商的稳定合作。

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