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    飞虹170N1F4A，SGT MOSFET ，采用SGT工艺来获得出色的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，并拥有优异的抗短路脉冲电流性能，TO-220产品广泛应用于5G电源,12-24V车载逆变器,48V工频逆变器，AC-DC开关电源，DC/DC转换器，UPS，户外储能电源，BLDC电机驱动(72V电动车控制器)等，TO-263产品适配电池管理。
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  • TIP42C
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  • FHA75T65A

    FHA75T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，广泛适用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、电焊机等各类软硬开关和PFC电路，可适用开关频率1~60KHz。能比较好的替换：FGH75N65SHDT的IGBT管。
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  • FHN60N1F10LA

    飞虹60N1F10LA，SGT MOSFET DFN5×6-8L ，采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流，BLDC电机驱动。
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  • FHP4310V

    FHP4310V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-220封装外形，可适用于UPS、逆变器、电机驱动控制和各类高频硬开关。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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  • FHP110N8F5B/FHS110N8F5B/FHD110N8F5B/FHU110N8F5B/FHU110N8F5B

    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管：SVG095R0NT、 IPP052N08N5
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  • FHP60R190AF/FHF60R190AF/FHA60R190AF

    飞虹60R190FA，N沟道 Cool-MOS管，主要应用于开关电源。其他MOS管品牌替代型号：SPP20N60C3 等。
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    FHA40T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，广泛适用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代仙童FGH40N60SFD使用
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  • FHP100N8F6A/FHS100N8F6A/FHD100N8F6A

    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管：STP110N8F6
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  • FHP70N11V/FHD70N11V

    70N11V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-252和TO-220等不同封装外形，可适用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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    飞虹FHP20100A/FHF20100A共阴双芯肖特基，100V/20A，VF仅0.81V，200A浪涌，150℃结温，TO-220/220F封装，热阻≤1.9℃/W，低功耗高浪涌，适配高频开关电源与极性保护，RoHS环保
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  • FHP170N8F3A/FHS170N8F3A/FHA170N8F3A

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  • FHA75T65V1DL

    FHA75T65V1DL 采用飞虹第七代场截止（Trench Field Stop VII ）技术工艺设计，使产品具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流，为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助；并且产品拥有良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。该产品广泛适用于太阳能逆变器、UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关。
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