欢迎进入飞虹半导体官网，纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线： 400-831-6077

飞虹半导体

快速导航

FHP1404

发布时间：2017-05-22 17:42:14

行业通用名：IRF1404、HY4004等

查看规格书 >

  • 飞虹1404，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于500W/12V输入的逆变器的前级电路。可替代场效管：IRF1404、HY4004

免费试样 加入试样清单

获取产品免费试样

您的称呼：
联系方式：
产品试样：

产品参数

Part Number Polarity Package Vgs（±V） VTH（V） ID(A) BVdss(V) Rds（on）(Ω)
型号 极性 封装形式 Vgs=10v
(typ)		 Vgs=10v
(max)
FHP1404
N
TO-220
25
2-4
180
40
2.5
3.3

产品详情

【飞虹1404产品描述】

飞虹1404，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于500W/12V输入的逆变器的前级电路。


【飞虹1404产品特点】

飞虹1404低内阻，大功率。





热门标签： 国产FHP100N08VFHU70N03VFHD70N03V国产FHP230N06VFHP100N07V型号参数

上一条：

FHP540C

下一条：

FHP3205D

返回

FHP1404产品应用文章

为什么选择飞虹

全方位营销服务体系，15+年FAE经验技术支持

飞虹半导体专注功率器件研发生产

MOS场效应管 / IGBT单管 / 二极管 / 三极管

免费试样：400-831-6077

微信扫一扫,直接沟通!

Plane MOSFET产品应用文章更多>
常见电路解决方案更多>

相关产品推荐

  • FHA064NA
    免费试样
    加入清单

  • FHP10N80/FHF10N80

    飞虹10N80，为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。对标其它场效应管品牌型号：FQP10N80、TK10A80E；
    免费试样
    加入清单

  • FHA60R043AF
    免费试样
    加入清单

  • FHP7N60/FHF7N60

    7N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
    免费试样
    加入清单

  • FHP4310V

    FHP4310V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-220封装外形，可适用于UPS、逆变器、电机驱动控制和各类高频硬开关。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
    免费试样
    加入清单

  • FHP730B

    飞虹730，为N沟道增强型高压功率场效应管。该产品主要应用于150W/220V方波输出的逆变器电路，DC-AC电源转换器，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。可替代其它场效应管品牌型号：6N40、7N40、IRF730B；
    免费试样
    加入清单

  • FHP65R380B/FHF65R380B/FHD65R380B
    免费试样
    加入清单

  • FHA50N50B
    免费试样
    加入清单

  • FHP160N06V

    FHP160N06V采用先进的trench技术，在降低了导通损耗的同时，还提高了开关性能和雪崩能量。该产品采用TO-220封装，可用于各种功率开关电路。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
    免费试样
    加入清单

  • FHP7N65D/FHF7N65D/FHU7N65D/FHD7N65D

    飞虹FHF7N65F高压mos管，可适用于45W-60W的AC-DC开关电源。
    免费试样
    加入清单

  • FHD120N03B
    免费试样
    加入清单

  • FHF8N80C
    免费试样
    加入清单

  • FHP180N08V

    FHP180N08V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-220封装外形，可适用于UPS、逆变器、电机驱动控制和各类高频硬开关。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
    免费试样
    加入清单

  • FHA24N50W

    飞虹FHA24N50W，plane VDMOSFET，采用平面工艺芯片，拥有高抗冲击能力，适用于各类开关电源，可用在1500W额定功率逆变器全桥电路结构上，最大可支持到2000W功率，完全足够适用在1500W额定功率的逆变器上，可完全替代飞虹原有的FHA24N50B和ON的FDA24N50/FDA24N50F型号。
    免费试样
    加入清单

  • FHP65R260B/FHF65R260B/FHA65R260B

    飞虹65R260A，N沟道 Cool-MOS管，主要应用于开关电源。对标其它场效应管品牌型号：IPA60R360P7S；
    免费试样
    加入清单

  • FHP3205C/FHD3205C
    免费试样
    加入清单

  • FHP15N60

    15N60是N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
    免费试样
    加入清单

  • FHP80N07/FHS80N07/FHD80N07

    飞虹80N07低压mos管 （对标替代型号：STP80NF07F4、RU6888、HY1607） ，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于36V-48V/6管的电动车控制器/锂电池保护板。可替代场效管：STP80NF07F4、RU6888、HY1607
    免费试样
    加入清单

  • FHP80N08B

    飞虹80N08B场效应管，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于逆变器前级电路。其它品牌替代型号：HY3008、IRF3607
    免费试样
    加入清单

  • FHP1404V

    FHP1404V采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统高效率和高可靠性。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
    免费试样
    加入清单

  • FHP1906V

    FHP1906V采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
    免费试样
    加入清单

  • FHP40N25W/FHF40N25W/FHA40N25W
    免费试样
    加入清单

  • FHA30N65B
    免费试样
    加入清单

  • FHP40N20D

    FHP40N20D，可适用于48V输入逆变器前级DC-DC升压电路（Q1-Q2），也可适用于AC110V输出电压的修正波DC-AC全桥逆变电路（Q3-Q6）。可替代IR场效应管品牌的IRFB31N20D
    免费试样
    加入清单
      • 飞虹半导体已为10000+电子领域企业提供一站式MOS管解决方案 | 电话 : 400-831-6077
      飞虹半导体已为10000+电子领域企业提供一站式MOS管解决方案 关闭

      收起来

      点击申请
      免费试样