电路研发利器，为何FHD120N7F6A中低压场效应晶体管是您的明智选择

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-05-05 浏览量：374 分享至：

哪一些中低压场效应晶体管制造商才可完全有能国产替代HY1906型号场效应晶体管用在低边开关电路中？

中低压场效应晶体管市场，不良的产品通常不足涵盖了：可靠性差、效率不高、散热问题、产品缩短寿命等，描述不足既影响了低边开关的正常应用，又加重了维护成本。正因如此，选定高端品质的中低压场效应晶体管国产替代产品超级关键。

低边开关电子设计师在选定HY1906型号中低压场效应晶体管时，真的需要看其性能参数，好像，电流能否到达120安、电压能否到达70v等，描述指标与低边开关电路的工作效率紧密相连。而且，击穿电压和短路耐量(ShortCircuitCapability)也是关键组成部分。

依于低边开关领域的设计师来说，选定FHD120N7F6A的中低压场效应晶体管产品就如同选定与HY1906技术参数完全匹配的解决即时方案，让朋友们仔细看详实参数：

1、N沟道场效应晶体管
2、Vgs：±20V
3、具有120安电流、70v电压
4、100%Rg测试
5、阈值电压VGS（th）：2.0-4.0V
6、反向传输电容：24pF

FHD120N7F6A型号场效应晶体管在低边开关的应用中认可度高，控制平稳可靠。

飞虹半导体强烈推荐选定FHD120N7F6A型号的中低压场效应晶体管，以改进低边开关电路的功率开关能力。这种120安、70v的中低压场效应晶体管可实际性克服产品可靠性差、效率不高、散热问题、产品缩短寿命等困难。

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