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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
FGH75N65SHDT型号耐压IGBT管在中频逆器电子工程中的使用,需要设计师着重考虑其性能参数,例如,额定电流能否实现75安、额定电压能否实现650V等,所述参数密不可分着中频逆器电路的工作效率。在这一点上,器件的热阻和反向并行的快恢复也关键的关注点。
如若您是需求强有力的耐压IGBT管产品的中频逆器电路设计师,考虑到这一点FHA75T65A将是您的具有理性的挑选。它在技术性能上与FGH75N65SHDT可相配,欢迎考虑详细参数:
1、场N沟道沟槽栅截止型
2、具有75安、650V的电路、电压
3、VCEsat典型值:1.75V-typ,<2.0V
4、出色的Vcesat饱和压降
5、拥有反向并行的快恢复二极管等
成熟稳定,寿命质量异常好的耐压IGBT管!
飞虹半导体愿意推举使用FHA75T65A型号的耐压IGBT管,以提升增长中频逆器电路的转换电流能力。这种额定参数为75安、650V的耐压IGBT管,能够满足真正消解产品散热问题、效率不高、电磁干扰等疑问。
飞虹半导体给中频逆器公司的耐压IGBT管方案书,让人安心满意,而且精神风采是客气,后续将长期采购FHA75T65A型号耐压IGBT管。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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