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国产SGTMOSFET突围:飞虹FHP160N06V如何破解车载逆变器散热难题?

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2025-08-29 浏览量:428 分享至:
在广州保税区的无尘车间里,工程师李工正在测试一组异常数据——某知名车企车载逆变器在高温环境下频繁出现MOS管击穿。这个困扰行业多年的散热难题,最终被飞虹半导体一款型号为FHP160N06V的SGTMOSFET破解。这个国产功率器件的故事,正悄然改变着新能源车载电源的供应链格局。 作为DC/DC推挽拓扑中的核心开关元件,车载高频逆变器对MOSFET的要求近乎苛刻。12V蓄电池升压过程中,器件需要承受超过100A的瞬态电流,而传统方案采用的IRFB3306PbF在连续工作时,结温往往突破150℃安全阈值。飞虹半导体研发团队通过改良trench工艺,使FHP160N06V的导通电阻降至3.2mΩ(VGS=10V),较同类产品降低15%的导通损耗。实际测试显示,在80A工作电流下,其管壳温度比对标型号低8-12℃。 这种热性能的提升源自三个技术创新:首先是独特的晶圆减薄技术,将热阻Rth(j-c)控制在0.7℃/W;其次是优化栅极电荷分布,使Qg总量减少至120nC,降低开关过程中的热量积累;最重要的是100%雪崩测试筛选,确保器件在蓄电池电压突变时的可靠性。某新能源车企的实测数据表明,采用FHP160N06V的逆变模块,在45℃环境温度下连续工作500小时无性能衰减。 对于采购决策者而言,这款国产MOS管的价值不止于技术参数。飞虹半导体建立的垂直供应链体系,将TO-220封装器件的交货周期稳定在4周以内,且支持最小50片的工程样品申请。更值得关注的是,其细化分档的Vth阈值电压(2.0-4.0V),使得替换IRFB3306PbF时无需修改驱动电路,直接降低方案迭代成本。目前,该产品已通过AEC-Q101车规认证,在广东地区多家新能源配套企业实现批量应用。 功率器件国产化不是简单的参数对标。飞虹半导体通过FHP160N06V证明,在车载高频逆变器这类严苛应用场景中,国产MOS管不仅能实现功能替代,更能在热设计、可靠性等核心指标上建立新的行业基准。当下游厂商苦于国际大厂16周的交期时,广州保税区仓库里3万片的常备库存,正在重塑功率电子供应链的响应速度。 百度搜索"飞虹半导体"或拨免费试样热线:400-831-6077,获取FHP160N06V完整测试报告及替换方案指南。

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