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09 20 2024

轻松代换IPP037N08N3G，FHA170N8F3AMOS管成本效益分析

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10 19 2024

代换IPP030N10N3G型号参数并能提升DC/DC变换器可靠性的国产MOS管！

一款国产100V、250A的MOS管适合用于高频逆变器中的DC/DC变换器并提升产品的可靠性。相信上述描述的是逆变器设计工程师常常想了解的一个问题。
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04 06 2025

国产SGTMOSFET崛起：250N1F2A如何替代英飞凌IPP030N10N3G？

随着国产半导体技术的不断突破，飞虹半导体的SGTMOSFET 250N1F2A凭借其低导通内阻、高可靠性和优异的性价比，成为替代英飞凌IPP030N10N3G的理想选择。本文深入探讨MOS管选型的关键点，并结合太阳能逆变器应用场景，解析250N1F2A如何助力高效能设计。
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02 09 2025

提升BMS性能，国内FHS200N4F3A场效应管有效代换IPP041N04NG

顺应科技的迅猛发展，各行业对绝缘栅双极晶体管的要求累计增加。重点是在BMS、太阳能逆变器等领域，对于控制与调节电流的器件——场效应管的要求是亟需解决。究竟如何决计一款国内能代换IPP041N04NG型号用于BMS电路中的显得需要。
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09 21 2024

性能体验，挑拣FHD110N8F5BMOSFET代换IPP052N08N5的理由

飞虹半导体力推使用FHD110N8F5B型号的MOSFET，以提升增加电池保护板电路的功率开关能力。这种额定参数为147a、85伏的MOSFET，实现实在消解产品可靠性弱、效率下降、散热效率低、产品寿命短等存在问题。
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10 21 2024

国产代换进口IPP052N08N5型号：FHD110N8F5B怎么在电池均衡板中应用？

中低压MOS管市场当下的情况面临严峻挑战，质量欠佳的存有应用：安全效益差、电磁影响等瑕疵，这不但搅乱了电池均衡板的正常运转，更催生了维护开支。由于这个原因，挑选高水平的中低压MOS管代换型号参数尤为重要。
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11 18 2024

国内MOSFET型号：FHS170N8F3A，替换IPP037N08N3G参数的秘密

对于13-17串的BMS保护板电子技术员而言，在替换IPP037N08N3G型号MOSFET时，需求特别留意多个重点细节。首先是MOSFET的性能参数，如额定电流能否做到185a、额定电压能否做到85V等，前述参数与器件的工作效率有明显相互关系的。
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12 29 2024

FHA250N1F2A中低压MOSFET，竞争国外品牌英飞凌IPP030N10N3G的国产之力

正弦波逆变器电子设计师在选拔英飞凌IPP030N10N3G型号中低压MOSFET时，建议重视其性能参数，例如说，额定电流能否得到250安、额定电压能否得到100V等，以上指标与正弦波逆变器电路的工作效率直接牵涉。不可或缺的是，反向并行的快恢复和拖尾电流也是首当其冲的重点。
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10 19 2024

电路新风向，FHS170N8F3A低压mos管能否国产替代IPP037N08N3G

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01 15 2025

不容错过的代换挑选：FHP200N6F3An沟道增强型MOSFET挑战IPP04N06N3

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11 04 2024

FHP170N8F3A与IPP037N08N3G，低压mos管参数深度解读

185A、85V参数是BLDC电机驱动厂家的杨工程师寻觅纯国产低压mos管代换厂家的关注点，其企望寻觅质量十分好的低压mos管厂家。
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11 23 2024

理想代换品：国产FHP170N8F3Amos管的全面技术评估

现时的情况mos管产品面临品牌口碑下降、可靠性低等困难，这些都密切关系在线式ups设备的可靠运行，选定比较好能代换mos管重要。
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12 22 2024

国产优秀MOSFET，FHS200N4F3A型号代替IPP041N04NG的市场分析

大规模全球BMS生产厂家先前已经将FHS200N4F3A当作IPP041N04NG的代替品，还能够获得广泛采纳。建议大家详细知道其性能参数：
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12 04 2024

让您的同步整流电路电路更稳定，决定FHA170N8F3A低压场效应晶体管代换IPP037N08N3G

市场上的低压场效应晶体管产品常常常见效率下降、产品缩短寿命、散热不良等通用矛盾，这些核心任务都会关联紧密同步整流电路设备的正常状态，因为这个原因供货稳定性保障有序的优质低压场效应晶体管对市场占有率紧要的。
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10 01 2024

低压SGTMOSFET电路性能升级—FHP60N1F10A与IPP126N10N3G性能国产替代

为了增强DC/DC电源电路的转换电流性能，飞虹半导体乐意举荐拣选型号为FHP60N1F10A的低压SGTMOSFET。这款额定电流60安、额定电压100v的低压SGTMOSFET，符合于现实解除产品可靠性降低、效率下降、散热效果不佳等麻烦。
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04 24 2025

国产MOS管170N8F3A：如何完美替代IPP037N08N3G，助力储能电源设计

本文深入探讨国产MOS管170N8F3A在储能电源设计中的优势，分析其如何完美替代IPP037N08N3G，并介绍飞虹半导体在技术研发与产品可靠性方面的实力，为电子工程师提供选型参考。
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02 26 2025

大功率场效应管新星，为何FHS110N8F5B能胜任代换IPP052N08N5的任务

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12 24 2024

国产代换的参数证明，FHA40T65A代换仙童FGH40N60SFD的IGBT特点

当家庭影院变频器电子工程师决计仙童FGH40N60SFD型号IGBT进行代换时，需求准确评估多个核心参数。首先，IGBT的性能参数非常关注，正如说电流能否得到40a、电压能否得到600V等，以上参数主要影响了器件的工作效率。而且，电压上升率(dv/dt)和拖尾电流也核心性能。
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03 29 2025

2025年国产MOS管新品：70N11V无缝代换JCS60N10、IRF3710型号参数！

​音响功放、步进电机驱动器在设计电路时卡在怎么选型的问题？想用JCS60N10、IRF3710这两款型号，但又担心成本与供应链的问题？
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03 28 2025

限时优惠！SGTMOSFET FHP3205D代换IRF3205，助力300W逆变器高效运行

本文详细介绍了飞虹半导体SGTMOSFET FHP3205D的产品特性及其在300W逆变器前级电路中的应用，帮助用户解决选型难题，并提供限时优惠信息，吸引用户了解并选择飞虹半导体产品。
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