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飞虹半导体

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04 06 2025

国产SGTMOSFET崛起：250N1F2A如何替代英飞凌IPP030N10N3G？

随着国产半导体技术的不断突破，飞虹半导体的SGTMOSFET 250N1F2A凭借其低导通内阻、高可靠性和优异的性价比，成为替代英飞凌IPP030N10N3G的理想选择。本文深入探讨MOS管选型的关键点，并结合太阳能逆变器应用场景，解析250N1F2A如何助力高效能设计。
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05 24 2025

国产MOS管250N1F2A限时试样！替代英飞凌IPP030N10N3G省成本30%

飞虹半导体SGT工艺MOS管250N1F2A通过100%雪崩测试，内阻低至2.5mΩ，完美适配车载逆变器等应用，现提供免费试样服务。
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07 12 2025

MOSFET选型不当导致逆变器失效？国产飞虹250N1F2A完美代换英飞凌IPP030N10N3G

本文剖析车载逆变器MOSFET选型核心痛点，解析飞虹半导体SGT工艺250N1F2A系列如何通过100%雪崩测试等严苛验证，实现与英飞凌IPP030N10N3G的完美代换，助力供应链本土化。
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02 09 2025

提升BMS性能，国内FHS200N4F3A场效应管有效代换IPP041N04NG

顺应科技的迅猛发展，各行业对绝缘栅双极晶体管的要求累计增加。重点是在BMS、太阳能逆变器等领域，对于控制与调节电流的器件——场效应管的要求是亟需解决。究竟如何决计一款国内能代换IPP041N04NG型号用于BMS电路中的显得需要。
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12 29 2024

FHA250N1F2A中低压MOSFET，竞争国外品牌英飞凌IPP030N10N3G的国产之力

正弦波逆变器电子设计师在选拔英飞凌IPP030N10N3G型号中低压MOSFET时，建议重视其性能参数，例如说，额定电流能否得到250安、额定电压能否得到100V等，以上指标与正弦波逆变器电路的工作效率直接牵涉。不可或缺的是，反向并行的快恢复和拖尾电流也是首当其冲的重点。
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06 08 2025

国产MOS管逆袭记：飞虹250N1F2A如何破解英飞凌IPP030N10N3G替代困局

当某新能源车企因进口MOS管断货陷入停产危机时，飞虹半导体SGT工艺250N1F2A系列以100%雪崩测试和2.5mΩ超低内阻实现完美替代，为车载逆变器设计提供国产化新选择。
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01 15 2025

不容错过的代换挑选：FHP200N6F3An沟道增强型MOSFET挑战IPP04N06N3

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07 26 2025

国产SGTMOSFET突围记：200N6F3A如何让工程师放弃进口代换IPP04N06N3？

当某新能源企业因进口MOS管断货面临停产危机时，飞虹半导体200N6F3A以3.5mΩ超低导通电阻和392mJ雪崩能量完成国产替代，揭秘这款SGTMOSFET在DC-DC升压结构中的技术突破。
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12 22 2024

国产优秀MOSFET，FHS200N4F3A型号代替IPP041N04NG的市场分析

大规模全球BMS生产厂家先前已经将FHS200N4F3A当作IPP041N04NG的代替品，还能够获得广泛采纳。建议大家详细知道其性能参数：
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12 04 2024

让您的同步整流电路电路更稳定，决定FHA170N8F3A低压场效应晶体管代换IPP037N08N3G

市场上的低压场效应晶体管产品常常常见效率下降、产品缩短寿命、散热不良等通用矛盾，这些核心任务都会关联紧密同步整流电路设备的正常状态，因为这个原因供货稳定性保障有序的优质低压场效应晶体管对市场占有率紧要的。
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04 24 2025

国产MOS管170N8F3A：如何完美替代IPP037N08N3G，助力储能电源设计

本文深入探讨国产MOS管170N8F3A在储能电源设计中的优势，分析其如何完美替代IPP037N08N3G，并介绍飞虹半导体在技术研发与产品可靠性方面的实力，为电子工程师提供选型参考。
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06 21 2025

代换IRFP4310PBF型号参数的国产MOS管,助力UPS提升转换效率!

​在UPS(不间断电源)系统的核心功率电路设计中,MOS管的性能、效率与可靠性直接决定了整机的转换效率、输出质量、热管理和长期运行稳定性。因此，对于UPS研发工程师而言，选择能够完美代换IRFP4310PBF参数且满足UPS严苛要求的高性能MOS管至关重要。
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02 26 2025

大功率场效应管新星，为何FHS110N8F5B能胜任代换IPP052N08N5的任务

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12 24 2024

国产代换的参数证明，FHA40T65A代换仙童FGH40N60SFD的IGBT特点

当家庭影院变频器电子工程师决计仙童FGH40N60SFD型号IGBT进行代换时，需求准确评估多个核心参数。首先，IGBT的性能参数非常关注，正如说电流能否得到40a、电压能否得到600V等，以上参数主要影响了器件的工作效率。而且，电压上升率(dv/dt)和拖尾电流也核心性能。
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08 12 2025

国产MOS管200N6F3A限时试样！60V/200A SGT工艺替代IPP04N06N3

飞虹半导体SGT工艺MOS管200N6F3A，具备3.5mΩ超低导通电阻与800A脉冲电流能力，专为户外储能电源DC-DC升压电路设计，现开放免费试样。
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03 29 2025

2025年国产MOS管新品：70N11V无缝代换JCS60N10、IRF3710型号参数！

​音响功放、步进电机驱动器在设计电路时卡在怎么选型的问题？想用JCS60N10、IRF3710这两款型号，但又担心成本与供应链的问题？
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05 17 2025

代换经典型号IRF3710，国产MOS管FHP70N11V提升车载逆变器性能！

MOS管在 DC-AC逆变器中承担高频开关与功率转换核心功能，其开关速度、导通损耗、耐压能力及热稳定性直接决定逆变效率。IRF3710虽为经典型号，但国产化方案FHP70N11V凭借更优参数与工艺，可显著提升车载逆变性能并保障供应链安全。
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03 28 2025

限时优惠！SGTMOSFET FHP3205D代换IRF3205，助力300W逆变器高效运行

本文详细介绍了飞虹半导体SGTMOSFET FHP3205D的产品特性及其在300W逆变器前级电路中的应用，帮助用户解决选型难题，并提供限时优惠信息，吸引用户了解并选择飞虹半导体产品。
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03 01 2025

2025年国产MOS管新品：FHP1404V无缝代换1404、4004型号参数！

针对12V输入电路的产品电路设计，需要有更高的电压安全系数。这一款2025年新推出到市场的国产MOS管以BVDSS_typ=55V的参数性能帮助解决上述问题。
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05 30 2025

代换IRFP4310PBF型号参数的国产MOS管，适用音响功放提升转换效率！

MOS管的品质直接影响到音响功放电路设计的效果,而其中可靠性、稳定性是对于音响功放设计最看重的要求效果之一。因此对于电路研发工程师,如何选择好的、能代换IRFP4310PBF型号参数用于音响功放中是非常重要的。
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