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    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管：SVG095R0NT、 IPP052N08N5
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  • FHP3205D

    飞虹3205场效应管，N沟道平面工艺MOS管，适用于开关电源、12V逆变电源、同步整流、300W/12V输入的逆变器的前级电路。其它品牌替代型号：IRF3205。
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  • FHP150N03B/FHS150N03B/FHD150N03B

    飞虹150N03C，采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM（RDSon*Qg）,广泛使用在UPS、锂电池保护板、负载开关、电动工具等电机驱动控制；其它mos管品牌替代型号：150N03。
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  • FHP200N6F3A/FHS200N6F3A/FHD200N6F3A

    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源转换器,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，UPS，储能电源，BLDC电机驱动等;TO-263产品广泛应用于锂电池组7-8串的BMS保护板。
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  • FHP5N60C/FHF5N60C

    FHP5N60C/FHF5N60C高压mos管（对标型号：FQP5N60），为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
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  • FHA75T65A

    FHA75T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，广泛适用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、电焊机等各类软硬开关和PFC电路，可适用开关频率1~60KHz。能比较好的替换：FGH75N65SHDT的IGBT管。
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  • FHP65R260B/FHF65R260B/FHA65R260B

    飞虹65R260A，N沟道 Cool-MOS管，主要应用于开关电源。对标其它场效应管品牌型号：IPA60R360P7S；
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  • FHP7805
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  • FHP130N10C

    飞虹130N10采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM（RDSon*Qg）,产品广泛使用在72V电动车控制器，直流电机驱动，24V输入逆变器，UPS。其他MOS管品牌替代型号：4410场效应管、IRFB4410。
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  • FHP20N60B/FHF20N60B/FHA20N60B

    20N60高压mos管（对标型号：FQP20N60、TK20A60T），F/P封装形式，为N沟道增强型高压功率场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
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  • FHA25T120A

    FHA25T120A是一款场沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡。出色的导通压降与极短的拖尾电流为客户在优化系统效率时提供有力的帮助，广泛适用于光伏逆变器、UPS、电焊机等各类软硬开关和PFC电路，可适用开关频率1~40KHz。
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  • FHF3N150A/FHA3N150A

    低导通内阻，高抗dv/dt能力，100% EAS测试（抗冲击能力强），100% DVDS热阻测试（散热性能好），100% Rg测试，可靠性高（满足工业级可靠性要求）。
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    N沟道增强型VDMOS，ID=90A ，BVDSS=250V ，RDSON：26mΩ-typ，35mΩ-max，TO-3PN封装外形，市场参考型号：IRFP4332PBF
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  • FHP20100A/FHF20100A/FHD20100

    飞虹FHP20100A/FHF20100A共阴双芯肖特基，100V/20A，VF仅0.81V，200A浪涌，150℃结温，TO-220/220F封装，热阻≤1.9℃/W，低功耗高浪涌，适配高频开关电源与极性保护，RoHS环保
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  • FHA75T65V1DL

    FHA75T65V1DL 采用飞虹第七代场截止（Trench Field Stop VII ）技术工艺设计，使产品具有极低的VCE（sat）和极短的拖尾电流，为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助；并且产品拥有良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。该产品广泛适用于太阳能逆变器、UPS、变频器、电焊机以及所有硬开关。
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  • FHA24N90A

    低导通内阻，高抗dv/dt能力，100% EAS测试（抗冲击能力强），100% DVDS热阻测试（散热性能好），100% Rg测试，可靠性高（满足工业级可靠性要求）。
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  • FHP70N11V/FHD70N11V

    70N11V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-252和TO-220等不同封装外形，可适用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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  • C2655
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    飞虹80N07低压mos管 （对标替代型号：STP80NF07F4、RU6888、HY1607） ，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于36V-48V/6管的电动车控制器/锂电池保护板。可替代场效管：STP80NF07F4、RU6888、HY1607
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  • FHP7905
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  • TIP42C
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