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    FHA40T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，广泛适用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。可替代仙童FGH40N60SFD使用
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    飞虹FHP20100A/FHF20100A共阴双芯肖特基，100V/20A，VF仅0.81V，200A浪涌，150℃结温，TO-220/220F封装，热阻≤1.9℃/W，低功耗高浪涌，适配高频开关电源与极性保护，RoHS环保
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    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管：STP170N8F7、IPP037N08N3G
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  • FHP120N7F6A/FHD120N7F6A/FHS120N7F6A

    飞虹FHP120N7F6A/FHS120N7F6A/FHD120N7F6A，采用SGT工艺来获得出色的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，并拥有优异的抗短路脉冲电流性能；TO-220（FHP120N7F6A）产品可应用于12V车载逆变器,各类高频开关电源，DC/DC转换器，UPS，户外储能电源，BLDC电机驱动(48V电动车控制器)等，可替代HY1906；TO-263(FHS120N7F6A)、TO-252(FHD120N7F6A)产品可应用于负载开关和BMS保护板。其他MOS管品牌替代型号：HYG065N07NS1P、HY1906、FHP100N07C。
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  • FHP1404V

    FHP1404V采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统高效率和高可靠性。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
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  • FHP130N10C

    飞虹130N10采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM（RDSon*Qg）,产品广泛使用在72V电动车控制器，直流电机驱动，24V输入逆变器，UPS。其他MOS管品牌替代型号：4410场效应管、IRFB4410。
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  • FHP200N6F3A/FHS200N6F3A/FHD200N6F3A

    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源转换器,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，UPS，储能电源，BLDC电机驱动等;TO-263产品广泛应用于锂电池组7-8串的BMS保护板。
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  • FHP70N11V/FHD70N11V

    70N11V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-252和TO-220等不同封装外形，可适用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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  • FHP3205D

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    FHF8N60J高压场效应管（对标型号：FQP8N60、TK10A60DA、FQPF8N60C），可适用于60W-75W的AC-DC开关电源。
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  • FHP170N1F4A/FHS170N1F4A/FHA170N1F4A

    飞虹170N1F4A，SGT MOSFET ，采用SGT工艺来获得出色的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，并拥有优异的抗短路脉冲电流性能，TO-220产品广泛应用于5G电源,12-24V车载逆变器,48V工频逆变器，AC-DC开关电源，DC/DC转换器，UPS，户外储能电源，BLDC电机驱动(72V电动车控制器)等，TO-263产品适配电池管理。
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  • FHP65R190AF/FHF65R190AF/FHA65R190AF

    飞虹65R190，N沟道 Cool-MOS管，主要应用于开关电源。其他MOS管品牌替代型号：IPA60R280CFD7 等。
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    飞虹200N4F3A，SGT MOSFET，采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源转换器,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，UPS，储能电源，BLDC电机驱动等。；其它mos管品牌替代型号：IRF1404、IPP041N04NG。
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  • FHA75T65A

    FHA75T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，广泛适用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、电焊机等各类软硬开关和PFC电路，可适用开关频率1~60KHz。能比较好的替换：FGH75N65SHDT的IGBT管。
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    N沟道增强型VDMOS，ID=90A ，BVDSS=250V ，RDSON：26mΩ-typ，35mΩ-max，TO-3PN封装外形，市场参考型号：IRFP4332PBF
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    飞虹80N07低压mos管 （对标替代型号：STP80NF07F4、RU6888、HY1607） ，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于36V-48V/6管的电动车控制器/锂电池保护板。可替代场效管：STP80NF07F4、RU6888、HY1607
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