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    飞虹FHP20100A/FHF20100A共阴双芯肖特基，100V/20A，VF仅0.81V，200A浪涌，150℃结温，TO-220/220F封装，热阻≤1.9℃/W，低功耗高浪涌，适配高频开关电源与极性保护，RoHS环保
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    飞虹60R190FA，N沟道 Cool-MOS管，主要应用于开关电源。其他MOS管品牌替代型号：SPP20N60C3 等。
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    飞虹65R260A，N沟道 Cool-MOS管，主要应用于开关电源。对标其它场效应管品牌型号：IPA60R360P7S；
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  • FHP70N11V/FHD70N11V

    70N11V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-252和TO-220等不同封装外形，可适用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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  • FHA60T65A

    FHA60T65A是一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT，广泛适用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、户外储能电源、UPS、电焊机等各类软硬开关和PFC电路，可适用开关频率1~60KHz，能比较好的替换：FGH60N60SMD的IGBT管。
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  • FHP80N06B/FHS80N06B/FHD80N06B

    飞虹80N06B，采用沟槽工艺，具有RDS(ON)小，EAS性能好，开关速度快等特点；TO-220封装产品可应用于UPS、24-36V电动滑板车/平衡车，300W/12V输入的逆变器（2只推免前级升压电路）；TO-263/252封装产品广泛应用于BMS保护板，负载开关。其他MOS管品牌替代型号：HRT60N08x、SW085R06E7T、PTP08N06N。
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  • FHA25T120A

    FHA25T120A是一款场沟槽栅截止型IGBT，使用Trench Field stop technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡。出色的导通压降与极短的拖尾电流为客户在优化系统效率时提供有力的帮助，广泛适用于光伏逆变器、UPS、电焊机等各类软硬开关和PFC电路，可适用开关频率1~40KHz。
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    20N60高压mos管（对标型号：FQP20N60、TK20A60T），F/P封装形式，为N沟道增强型高压功率场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
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    FHP1404V采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统高效率和高可靠性。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
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    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于24管-72V输入电动车控制器。其他MOS管品牌替代型号：SVG095R0NT。
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    飞虹200N4F3A，SGT MOSFET，采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源转换器,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，UPS，储能电源，BLDC电机驱动等。；其它mos管品牌替代型号：IRF1404、IPP041N04NG。
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    FHP5N60C/FHF5N60C高压mos管（对标型号：FQP5N60），为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
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    飞虹60N1F10A，采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，UPS，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。可替代场效管：STP80N10F、SVG10120NAT、IPP126N10N3G
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    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管：STP110N8F6
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