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    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管：STP110N8F6
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    飞虹65R190，N沟道 Cool-MOS管，主要应用于开关电源。其他MOS管品牌替代型号：IPA60R280CFD7 等。
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    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源转换器,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，UPS，储能电源，BLDC电机驱动等;TO-263产品广泛应用于锂电池组7-8串的BMS保护板。
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  • C2655
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  • FHF65R420A

    飞虹65R420，应用于65W-PD快充电源的初级开关管；对标东微场效应管品牌型号：OSG65R380FF；其他MOS管品牌替代型号：TK12A60W (东芝)、IPA60R600P7S等。
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  • FHP110N8F5B/FHS110N8F5B/FHD110N8F5B/FHU110N8F5B/FHU110N8F5B

    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于各类DC/DC电源,DC-AC逆变器,AC-DC开关电源，储能电源，园林工具和BLDC电机驱动等。TO-263产品广泛使用在各类锂电池保护板上。可替代场效管：SVG095R0NT、 IPP052N08N5
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  • FHA90N25W

    N沟道增强型VDMOS，ID=90A ，BVDSS=250V ，RDSON：26mΩ-typ，35mΩ-max，TO-3PN封装外形，市场参考型号：IRFP4332PBF
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  • FHP120N9F4A/FHD120N9F4A

    采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻，飞虹产品具有宽泛的BV电压，快速的开关能力和优异的抗短路性能，TO-220产品广泛应用于24管-72V输入电动车控制器。其他MOS管品牌替代型号：SVG095R0NT。
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    飞虹70N04LA，Trench N-Chanel MOSFET PDFN5×6-8L封装产品，具有RDS(ON)小，EAS性能好等特点，PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于各类开关应用、BMS、和直流电机驱动(吸尘器/扫地机/电动工具)。其它mos管品牌替代型号：ZM042N04N、AON6236、VS4610AP。
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  • FHP20150A/FHF20150A/FHD20150A
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    FHP4310V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-220封装外形，可适用于UPS、逆变器、电机驱动控制和各类高频硬开关。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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    飞虹60N1F10LA，SGT MOSFET DFN5×6-8L ，采用SGT工艺来获得极低的RDSON导通内阻和优秀的品质因子FOM(RDSON*Qg)，可实现快速硬开关和有效提高了转换效率，PDFN5×6-8L封装产品广泛应用于AC/DC和 USB PD快充适配器电源和DC/DC转换器的二次侧同步整流，BLDC电机驱动。
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    FHP180N08V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-220封装外形，可适用于UPS、逆变器、电机驱动控制和各类高频硬开关。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
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