欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
半导体行业的权威认证
微信扫一扫,直接沟通!
当进口MOSFET面临供货危机时,飞虹半导体80N08B以Trench工艺实现6.8mΩ超低导通电阻,通过100%雪崩测试验证的高可靠性方案,为逆变电源设计提供国产化替代新选择。
本文聚焦逆变器应用,解析飞虹170N1F4A SGT MOSFET的参数优势,对比STP150N10F7,分享选型技巧,助力电子工程师实现高效可靠设计。
面对市场上某型号IGBT管交期不稳或价格波动,工程师与采购如何破局?本文以飞虹半导体FHF20T60A为例,从关键参数对标、性能优势及供应链角度,深入解析其为何能成为NCE20TD60BF的可靠替代方案,为您的国产化选型提供清晰路径。
高压功率MOSFET在高频开关电源中起到关键角色,其耐压能力、开关速度及可靠性直接决定整机效率与稳定性。尤其在AC-DC开关电源、DC-DC转换器及高压H桥PWM电机驱动等场景中,MOS管需承受高电压应力、快速开关频率及复杂电磁环境。
留下您的需求产品 快速响应免费提供试样
收起来



