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关于飞虹
国产SGTMOSFET 100N08B在逆变电源中的关键应用解析,对比STP75NF75代换方案,揭示器件失效对系统可靠性的致命影响。
本文详细解析MOSFET选型的5个关键因素,并介绍飞虹半导体FHP3205D在300W/12V输入的逆变器前级电路中的优异表现,为工程师提供可靠的国产替代方案。
本文解析国产SGT工艺MOS管170N8F3A在逆变器应用中的关键技术优势,对比STP170N8F7的替代可行性,提供工程师选型时的参数评估要点与热设计建议。
本文深度解析国产TrenchMOSFET 100N07B在电动车控制器中的应用优势,对比进口型号RU7088的性能参数,提供专业选型建议与热设计要点。
了解如何从IGBT单管参数出发选型,选择适合的高压IGBT管,提升产品性能,优化供应链。飞虹半导体提供优质的FHA75T65A,助力您的直播储能电源项目。
了解如何选择国产高压IGBT,飞虹半导体的FHA25T120A与安森美NGTB25N120FL2WG对比分析,助力电动切割机设计优化。
风扇变频器在自给自足经济的持续充实中,以怎么样的方式能在实际经营状态中控制市场?中心是应该怎么选择一款纯国产国产替代FGH75N65SHDT型号igbt用在风扇变频器电路中。
飞虹半导体推出的FHA75T65A大功率IGBT,以优越性能完美替代FGH75N65SHDT,广泛应用于录像机等电子设备,助力企业提升供应链效率和产品性能。
针对48V供电的太阳能离网工频逆变器的领域,尤其是DC-DC全桥拓扑电路中,高效的电能转换与功率密度提升极度依赖核心功率器件的精准选型。功率 MOSFET 因其优异的开关速度、低导通损耗和可控性,成为中低压、大电流 DC-DC 全桥拓扑中开关管与同步整流管的靠谱选择。
在电路设计中的产品选型,必须要考虑如何在价格合理的范围内选择性价比高的产品,但又能让产品的性能做到极致。比如中等功率的UPS在选择代换NCE75ED65VT型号IGBT单管时,该如何考虑呢?
国产IGBT单管新品,采用飞虹半导体第七代场截止(Trench Field Stop VII )技术工艺设计,能达到显著降低导通损耗和开关损耗。使产品具有极低的VCE(sat)和极短的拖尾电流,为终端设计师在优化系统效率时提供有力的帮助。
MOS管是UPS将电池直流电高效、可靠地转换成交流电供给负载的核心执行元件。在实际选用产品时,工程师现在会纠结于仍然使用MOS管还是使用IGBT呢?MOSFET在低压、大电流应用中的效率通常优于IGBT(绝缘栅双极晶体管),因此高压选IGBT,低压选MOS管。
4月,作为国内深耕于IGBT、MOS管的厂家代表,飞虹半导体成功参加了第104届中国电子展(深圳)以及慕尼黑上海电子展,两大行业盛会圆满落幕。
第104届中国电子展即CITE2025即将在深圳会展中心(福田)隆重举办。2025年4月9-11日飞虹半导体受邀参展,携其在大功率分立器件领域的创新成果——MOS管、IGBT、肖特基等系列产品亮相展会。与参展者围绕“科技创新·“圳”在变革”的主题共襄盛典,展望电子产业的未来。
在辞旧迎新之际,广州飞虹半导体科技有限公司党支部积极响应党的号召,深入贯彻落实习近平新时代中国特色社会主义思想,全面落实党的二十大及第二十届二中、三中全会精神。
在炽热的八月,我们迎来了骄阳似火的2024世界太阳能光伏暨储能产业博览会。为期三天的盛会在广州·中国进出口商品交易会展馆B区圆满落幕,这不仅是一次业内顶级的交流平台,更是全球光储产业发展的重要见证。飞虹半导体作为其中一员,感受到了来自同行与客户的热情关注,并借此新闻稿对所有的支持与关注表示衷心的感谢。
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