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产品参数
| Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(mΩ) | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | Vgs=4.5v(typ) | Vgs=4.5v(max) | ||||
FHL170N1F4A | N | TOLL-8 | 20 | 2~4 | 172 | 100 | 3.2 | 4.0 | ||
产品详情
【FHL170N1F4A产品类型】
【FHL170N1F4A产品描述】
FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形,其封装产品具有小体积、低封装内阻、低寄生电感、低热阻等特点,适合电动自行车、电动摩托车、电动观光车、锂电保护、通信电源等高功率密度应用场景。
【FHL170N1F4A产品特点】
低导通内阻,支持更小的阻抗和更大的峰值电流。
100% EAS测试
100% DVDS热阻测试,更低的热阻,带来优异的温升表现。
100% Rg测试
封装电感小,带来出色的EMI特性和可靠性,满足工业级可靠性要求
【FHL170N1F4A应用举例】
BMS

高频开关电源:PD电源、通信电源、同步整流
电机控制:电动自行车、电动摩托车、电动三轮车、电动四轮观光车、电动叉车

热门标签: FHP150N045VFHU70N03VFHD70N03V国产FHP100N08VFHP100N07V型号参数
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面对进口MOS管交期与成本压力,飞虹半导体推出的170N1F4A SGT MOSFET,凭借出色的RDSON与Qg品质因子、100%测试筛选及高可靠性,为HYG042N10NS1P提供了稳定可靠的国产化替代方案。本文解析其参数优势与替代逻辑,为工程师与采购提供选型新思路。
飞虹半导体推出的170N1F4A场效应晶体管,采用SGT工艺,性能卓越,可完美替代HYG042N10NS1P,广泛应用于储能电源等领域,现有限时优惠,欢迎免费试样。
飞虹半导体170N1F4A SGT MOSFET,100V/172A,导通电阻低至3.4mΩ,完美替代IPP045N10N3G。从5G电源到车载逆变器,国产大功率MOS管凭实力打破进口垄断,为工程师提供更可靠的选型方案。
围绕着不间断电源电子技术员的需要,乐意安利一款大电流MOS管产品:FHP170N1F4A。它在技术参数上精准相通IPP045N10N3G,具体任何人可重视参数:
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