国产选型指南：涉及替代IPP045N10N3G、STI150N10F7等多型号场效应管推荐！

文章类别：精选文章发布时间：2025-10-25 浏览量：92 分享至：

在5G电源、车载逆变器、UPS等高效能电源系统中，工程师常选用IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7等MOS管作为功率开关器件。

随着国产半导体技术的成熟，飞虹半导体推出的FHP170N1F4A型号场效应管，不仅具备与上述多款场效应管型号兼容的电气参数，更在导通电阻和开关性能方面表现出色，成为国产替代的优秀选择。

因为FHP170N1F4A作为一款性能优异的国产N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的SGT工艺，具备以下对设计有利的特点：

极低的导通电阻（RDS(on)典型值3.6mΩ）、低栅极电荷（Qg典型值90nC）、开关速度快、100%经过Rg测试、极低的FOM(RDSON*Qg)、100%经过雪崩测试、100%经过热阻测试。

Vds：100V

Id（连续）：172A（硅极限）/120A（封装极限），高于STI150N10F7的110A

Idm（脉冲）：480A

RDS(on)典型值：3.6mΩ(@Vgs=10V)，优于HYG045N10NS1B的4.5mΩ

Qg典型值：90nC，低于IPP045N10N3G的117nC

Vgs(±V)：20；VGS(th)：2.0-4.0V

反向传输电容：33pF

TO-220封装：便于安装散热器，适用于中大功率电源模块

并用于5G电源、12-24V车载逆变器、48V工频逆变器、AC-DC开关电源、DC/DC转换器、UPS、户外储能电源、BLDC电机驱动(72V电动车控制器)等产品。

除参数适合外，飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售，给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

直接百度输入"飞虹半导体"即可找到我们，免费试样热线：400-831-6077。

FHP170N1F4A主要替代哪些型号？

可替代IPP045N10N3G、HYG045N10NS1B、STI150N10F7等多款MOS管型号。

FHP170N1F4A适用于哪些应用场景？

适用于5G电源、车载逆变器、UPS、户外储能电源等高效能电源系统。

如何获取FHP170N1F4A样品？

可通过免费试样热线400-831-6077联系飞虹半导体获取样品。

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